氯化物前驱体提拉制备ITO薄膜.pdfVIP

第 6 1卷 　第 4 期 有 　色 　金 　属 　Vol6 1, No4 2 0 0 9 年 1 1 月 　　　　　　　　　　　　　　　　　 Nonferrou sM etals 　　　　　　　　　　　　　 　　　 November. 2 0 0 9 氯化物前驱体提拉制备 ITO 薄膜 张鲁玉 ,刁训刚 ,郝 　雷 ,张金伟 ,马 　荣 (北京航空航天大学 材料物理与化学研究中心 ,北京 1000 83 ) 　　摘 　要 : 以 InCl ·4H O 和 SnCl ·5H O 为原料制备溶胶前驱体 ,采用浸渍提拉法在 SiO2 玻璃表面制备透明带电的 ITO 薄 3 2 4 2 膜 。采用方块电阻测量仪 、紫外 /可见光分光光度计 、扫描电子显微镜 、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构 、微观组织、导电性能 及光谱特性 。结果表明,薄膜的方块电阻与 Sn掺杂量 、提拉次数及热处理温度均有关 。得到的最佳参数为 Sn 掺杂量 10% (摩尔 ) ( ) Ω 比 、5 次提拉并干燥 、500 ℃热处理 1h 炉外空冷 。制得的最佳 ITO 薄膜方阻为 240 / □,可见光平均透过率大于 90% 。 关键词 :关键词 :无机非金属材料 ; ITO 膜 ;溶胶凝胶 ;提拉法 ;透明;导电 中图分类号 : 文献标识码 : 文章编号 : ( ) O6 114; TB34　 A 　 100 1 - 02 11 2009 04 - 0051 - 05 ( ) 　　氧化铟锡 Tindop ed Ind ium Oxide 即 ITO 薄膜 1　实验方法 是一种重掺杂 、高兼并 n 型半导体 。其理论电子密 3 μ 度 ne 可高达 102 1 / cm , 电子迁移率 e 在 15 ～ 11　溶胶配置 450cm2 /V s范围 , 电阻率可低到 7 ×10 - 5 Ω ·cm ,对 将一定量 InC l ·4H O 与 60mL 乙酰丙酮混 3 2 可见光的透射率和红外光的反射率均在 90% 以上 。 合 ,在恒温磁力搅拌器上于 60 ℃搅拌 3h 得到稳定 由于其优异 的光 电性能 , 近年来在薄膜 晶体 管 的 InC l 溶胶 , 同时在室温下将适量 SnC l ·5H O 3 4 2 ( TFT) 、平 板 液 晶显 示 ( LCD ) 、电致 彩 色 显 示 溶于 10mL 无水乙醇 ,在室温下搅拌 ,待充分溶解后 ( ECD ) 、太阳能电池透明电极 、Low - e 玻璃等领域 将这两种液体混合 ,搅拌均匀后静置 24h 即得到均 得到迅速而广泛的应用 [ 1 - 2 ] 。目前制备 ITO 膜常用 匀稳定的 ITO 溶胶 。图 1所示为 So lGel方法工艺 的手 段 主 要 有 磁 控 溅 射 法 、化 学 气 相 沉 积 法 流程框图。 (CVD ) 、电子束蒸发法 、喷雾热分解法和溶胶凝胶 ( ) 法 So l - Ge