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化合物半导体的电化学C—V 载流子浓度剖面分布 罗 江 财 (重庆 电技术研 究所) 摘 要 本文讨论了电化学c V刮面分市的实际技术直嗣，列举 ：PN4~)O自动描绘的 GaAIAs／GaAs~ InGaAsP／InP~ ￡异质外延 结橱 的载流于淮蛊剖面分布曲线．井分沂了液相外延 生长 Zn掺杂的特性 。回时．还分析了测量精确宦和潦 之辨监光率衄的关系，井考虑 了电解旋、接触面积、串连 电阻和深态的髟喃．最后， 本文数连 了电化学C．V技术在测量 咒 电压谱和量子 阱结掏方面的应册 ． 率 与 德 拜 长 度 高 频 检 测信号的大小有 一 、 前 言 关。其俭测的浓度范围约为 1×10“～ 5× 自动 电化学 C—V测量， 就是用 电解液 10”cm一。要在其最佳深度分辨率 和 浓度 作势垒，用 电解的方法腐蚀掉半 导体材 料， 的测量精度之间求得好的平衡是困难的。特 并在 同一个 电解池 中完成这两个过程 ，用 自 别是剖视深度受高反偏压下结或势垒的电击 动系统控制反复 的腐蚀 ／测量周期，从而形 穿的限制 ， 如 在 GaAs中 ， 当浓度 N 一 成载流子浓度 随深度的分布 曲线。现在 ，此 1o cm 时，最大深度X一 ≈2Om；而 当 技术 已广泛应朋于 III—V族化台物半导体材 N =1o”c1711 时 ，X… ≈O．02 m。实际上 料 的特性分析 中。 可 能更低 。 电化学 C—V测量中， 由于 电解液对于 自动电化学 c一 测试系统较好 地解决 披长短于～1．2}Lm的光辐射是透 咀的，因而 了剖视深度 ．深度分辨率和浓度测量精确度 对GaAs及有关化 台物的光 电压现象的观察 之间的平衡关系 ．它可测 高 低 阻半导体材 也是很方便的。从而进 一步开发 了与浓瘦分 料 ，特别是 III—V族化台物材料及其多层外 布棚结合的光 电压谱的分析，它在测量光 电 延材料的载流子浓度分布。 PN4200自动 电 器件 的异质结 的能隙和台金组分中特别有 化学 一，『载 流子浓度测试 系统方 框 图 如图 J．】。 1示。此系统按编制好 的程序 ．通过计算机 本文通过PX4200臼动 电化 学 载 流子浓 键盘操作，写入控制测试的各种数值 ，自动 削面溢绘仪托IjI—V嵌化合物 GaA1AS／ 修正连接 电缆参数 ． 自动进行 电解池 中半导 G “As IaGaAsP／IaPp},延材 料 测量 中的 体材 碍均溶解腐蚀 ／测量重复周 期 ，并 自动 应用 对肯关问题进行一些探讨 。 地按Ia，·aday定律积分腐蚀电流。连续地测 量腐蚀深 度。打印机和绘图仪则及时地打印 二 、自动 电化学 C—V剖面 出测试数据和图表 以及绘制出各种 曲线图。 分布技术 它可 以 自动 进 行 半 导体 型 号 判 断 以及 耗 尽层的微分 电容．不管是肖特荩势垒 ，／ ，c／ G／F、 ／