搪玻璃介电材料的制备及其对同轴DBD的影响.pdfVIP

搪玻璃介电材料的制备及其对同轴DBD 的影响 刘程，张芝涛，陈建军，谷建龙 大连海事大学 强电场电离放电辽宁省重点实验室 摘 要：介电材料的介电性能和厚度是影响DBD 性能的关键因素。本文通过优化搪玻璃釉 料配方和采用低温长烧制作工艺，有效地提高搪玻璃电介质材料的介电性能和绝缘强度， 并可以制作的很薄。把这种搪玻璃介质应用到同轴DBD 等离子体源中可以改善其性能。 关键词：搪玻璃；介电性能；DBD 1.前言 介质阻挡放电（Dielectric Barrier Discharge ）是一种有着百余年历史的古老放电方式， 从西门子制造出第一个臭氧发生管开始，人们就开始不断的探究其放电物理和等离子体化学 方面的机理。DBD可以在大气压条件下得到非平衡等离子体，省去了复杂的真空设备，而 且可以通过改变气隙宽度和工作气的密度来调节电子的平均能量[1]，这些特点使它既可以作 为试验室中的小型装置，也可以作为工业生产中的大型设备。近年来，DBD越来越多地被 应用于众多的工业领域，如臭氧产生，高功率CO2激光器，紫外光源，表面改性，等离子体 刻蚀，污染治理等，[2] 巨大的应用潜质使它获得了越来越多的关注。 DBD 的性能受到多方面因素的影响，它们大体可以分为两个方面，放电物理因素：电 源电压，电压频率，放电间隙，电介质材料的厚度和介电常数，介电损耗等。等离子体化学 因素：气体分子电离能，气体组分，化学反应动力学常数，反应腔温度等。为了提高等离子 体源的性能，可以合理改变放电物理条件来提高放电功率，更为有效地向反应腔注入能量， [3] 使气体分子大量电离产生高活性的强电离等离子体。放电功率的计算式为 ： ⎛ cd +cg ⎞ p 4fc d vs ⎜v0 =− vs ⎟ ⎝ cd ⎠ （1） v 其中 : p 是放电功率；f 为激励电源频率； cd 是介质电容； cg 为气隙电容； s 是放电起始电压；v 指电源电压峰值；指电源电压峰值； 0 对于同轴对于同轴 DBDDBD ，介质和气隙可视为两个串连电容，其等效电容的计算式为：，介质和气隙可视为两个串连电容，其等效电容的计算式为： 2πεε l r 0 c ln (D2 D1 ) （2 ） 式中：εr ε0 l D1 为介质的相对介电常数， 为绝对介电常数， 为放电腔的有效放电长度， ， D 2 分别为同轴 DBD 的内外径。 -1- 从（1）、（2 ）两式可以看出提高放电功率的手段主要有：增加激励电源的频率和 峰值电压，减小气隙宽度和介质层厚度，采用具有高介电常数的电介质。随着电工技术的发 展，新的放电激励电源不断出现，窄间隙放电等形式也得到应用，因此 DBD 性能得到了很 大的提升。但是在介质材料方