RF溅射稀土掺杂ZnO薄膜的结构与发光特性.pdfVIP

维普资讯 第 35卷第8期 光电工程 、厂01．35．No．8 2008年 8月 Opto—ElectronicEngineering Aug，2008 文章编号：1003-501X(2008)08-01：24-04 RF溅射稀土掺杂ZnO薄膜的结构与发光特性 文 军 1,2，陈长乐 (1．西北工业大学 应用物理系，西安 710072； 2．渭南师范学院 物理系，陕西 渭南 714000) 摘要：通过射频磁控溅射技术在 Si(111)衬底上制备了未掺杂和 La、Nd掺杂ZnO薄膜。XRD分析表明，ZnO薄 膜具有C轴择优生长，La、Nd掺杂ZnO薄膜为纳米多晶薄膜。AFM观测，La、Nd掺杂ZnO薄膜表面形貌较为 粗糙。从薄膜的室温光致光谱中看到，所有薄膜都出现了395am的强紫光峰和495nnl的弱绿光峰，La掺杂ZnO 薄膜的峰强度增大，Nd掺杂ZnO薄膜的峰强度减弱，分析了掺杂引起PL峰强度变化的原因。 关键词：ZnO薄膜；稀土掺杂；射频磁控溅射；光致发光 中图分类号：0484．1，0484．4 文献标志码：A InvestigationofStrueturalandLuminescencePropertiesOfI -doped Zno ThinFilmsGrownbyRFM agnetronSputtering W EN Jun ，CHEN Chang-le (1．DepartmentofAppliedPhysics，．ScienceSchool，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xi’an710072，China； 2．DepartmentofPhysics，WeinanTeachersUniversiyt，Weinan714000，ShannxiProvince，China) Abstract：TheZnOthinfilmandFareearth(La、Nd)dopedZnOthinfimlsweredepositedonSi(111)substratebyRF magnetronsputteringTheX-rayDiffraction(Ⅺ )naalysisrevealedthatZnOthinfimlwashi lyc—axisorientationand RE-dopedZnO thinfilmswerenano-multi-crystaldeparturefrom normalgrowth．Theroughnesssurfacefiguresofthe filmswereobservedbyAtomicForceMicroscopy(AFM)．Theroom temperaturePhotoluminescence(PL)spectrum indicateshtatthethinfiml shaves~ongpurplepeakat 395ntnnadweka rgeenpeka at495nm ．ThePLspectrum peka intensity ofRe．topedZnO htinfilmsisdifferent．Theresultsindicatethatthepeak ofNd-dopedZnO thinfilmsis weakenednadthatofLa—dopedZnOthinfilmsiss~engthened,nadthecausesofPLpeakintensiytchangesareanalyzed． Keywords：ZnOthinfilm；RE-doped；RFmagnetronsputtering；photoluminescence 1 引