精确的一维光子晶体的带隙.pdfVIP

维普资讯 第33卷第7期 光电工程 Vol-33．NO．7 2006年 7月 Opto—ElectronicEngineering July，2006 文章编号：1003—501X(2006)07—0127—04 精确的一维光子晶体的带隙 刘文楷 ，安艳伟 ，张常年 ，张存善2 (1．北方工业大学 信息学院，北京 l00041；2．河北工业大学 信息学院，天津 300130) 摘要：半导体材料的折射率是光频率的函数，所以在计算光子晶体的能带结构时毖须考虑到色散 关系。光子晶体存在光子禁带在反射谱上表现为高反射率带。本文已GaAs基材料为例，利用传 输矩阵方法计算了考虑色散后的一维光子晶体的反射谱，计算结果表明考虑色散后的光子晶体禁 带的宽度较不考虑色散关系的光子晶体的带隙要窄，如果光子晶体中存在缺陷则考虑色散后的光 子晶体缺陷态的位置较不考虑色散关系时红移，且光子损耗较小。 关键词：光子晶体；禁带；色散关系 中图分类号：TN36 文献标识码：A Accurateforbiddenbandof1．D photoniccrystal LIU W en．kail ANYah．weil ZHANG Chang．nianl ， ， ， ZHANG Cun．shan (1Collegeoflnformation，NorthChinaUniversityofTechnology，Bering100041，China； 2．Collegeoflnformation，HebeiUniversiytofTechnoloyg，Tianjin300130，China) Abstract： Rerfaction index ofsemiconductormaterialisafunction ofopticalrfequency,called dispersionrelation．Thuswhenonecalculatestheenergybandofphotoniccrystal，thedispersionrelation ofmaterialmustbeconsidered．Inthispapehforexample．theforbiddenbandof1一D photoniccrystal madeupofGaAs／AIAsiscalculatedbytransfermatrixmethod．Itisshownthattheforbiddenband，of whichthedispersionrelationofthetwomaterialsisconsidered，isnarrowerthantheother~Thedefect statewillbringredshiftifthedispersionrelationofmaterialsisconsidered． Keywords：Photoniccrystal；Forbiddenband；Dispersionrelation 引 言 自1987年 Yablonotich[hi首次提出光子晶体的概念以来，无论在理论研究还是实验研究上都取得了许多 重大进展 J。尤其近年来微加工技术的进步大大促进了光子 晶体的实验研究。光子晶体的发现者 Yablonovitch称光子晶体为光的半导体，利用它我们可以制造出光通信中所用到的各种器件 ：光子晶体光 纤、微谐振腔、品质优良的滤波器、集成光路等。广阔的应用前景使光子晶体成为当今世界范围的一个研 究热点，得到了迅速的发展。 光子晶体按照空间分布的周期性可以分为一维、二维和三维光子晶体。通过光子晶体的带隙以及带隙 中的缺陷态可以很方便地禁止或允许一定频率的光子通过。利用光子晶体的带隙特点可以实现对光波