表面修饰多孔硅的形貌和光致发光特性的研究.pdfVIP

西北师范大学硕士学文论文 摘 要 硅是一种重要的半导体材料，将成熟的硅基微电子技术与光电子技术结合起来，实现 光电子集成是现代信息技术发展的主要方向，但硅是窄间接带隙半导体，发光效率低下， 这成为实现硅基光电子集成的主要障碍。室温下多孔硅在可见区强光致发光现象的发现为 硅基光电领域提供了广阔前景，1996年以多孔硅为基础材料的光电集成电路的实现使得这 种前景更加诱人，同时也为全硅光电子单片集成提供了可能。多年来人们为了得到发光稳 定且波长范围较宽的多孔硅的光致发光进行了广泛深入的研究，采取稀土掺杂，金属辅助 电化学腐蚀，湿氧化处理，光化学腐蚀，沉积富硅氧化硅薄膜等不同方法改善了多孔硅的 发光特性。我们研究小组在拓宽多孔硅发光的波长范围和发光强度增强的研究中已取得丰 硕的研究成果。 本论文的主要研究工作和研究结果如下： (1) 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了金属掺杂。用荧光分光光度计分析了样品的光 致发光特性, 发现适量的金属掺杂增强了多孔硅的红光发射, 氧化性金属掺杂还会增强 多孔硅的蓝光发射，还原性金属掺杂却无此现象。红外吸收谱表明，金属掺杂多孔硅的 Si-O-Si键振动增强。XRD谱表明，氧化性金属掺杂后多孔硅的无定形程度增强。 分析结 果认为