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薄膜材料技术与物理6.pdf
晶圆制造流程图
薄膜技术
第六章 半导体器件集成工艺 IC 生产厂房
金属化 化学机 介质薄 测试
械抛光 膜沉积
晶圆
热氧化 离子注入 刻蚀与 封裝
与光刻胶 光刻胶
掩模 剥离 剥离
图形曝 最后测试
光
电路设计
半导体器件按照结构可以分为： 相对于通过打线连接的分立器件，集成器件具有如下优点：
分立器件： 1.降低互联的寄生效应，因为具有多层金属连线的集成电路
主要应用在微波，光电和功率器件方面。如碰撞电离雪崩渡越时 可大幅度降低全部的连线长度。
间二极管（IMPATT）用作微波 产生器，半导体激光器和发光二极
管作为光源，可控硅器件作为高功率的开关。 2.可以充分利用半导体晶片的空间和面积，因为器件可以紧
密布局在IC芯片内。
集成器件：
大部分的电子系统是将有源器件（如晶体管）和无源器件（如电 3.大幅度降低制造成本，因为打线连接是项既耗时又容易出
阻，电容和电感）一起构建在单晶半导体上，通过金属化的形式互连 错的工作。
而构成集成电路。
分立器件典型：pn结的简化制备工艺
IC制造中关键工艺：
n-type 1.N型Si 衬底
n 5. 显影
SiO
• 材料生长：涉
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