4化学镀法制备超细WCu复合粉体.docVIP

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4化学镀法制备超细WCu复合粉体.doc

化学镀法制备超细W-Cu复合粉体 谭晓月1,罗来马1,1,1,2,昝祥1,2,吴玉程1合肥工业大学材料科学与工程学院, 安徽 合肥 230009;安徽省粉末冶金工程技术研究中心, 安徽 合肥 230009)[1-3]。在W-Cu体系中,由于钨和铜晶体结构的差异,钨和铜之间完全不互溶或几乎不互溶,因而呈现出非常差的润湿性[4,5]。所以用传统方法很难制备出高致密,高性能的W-Cu复合材料。通常在W/Cu复合材料中加入微量的Fe、Co、Ni等化学元素作为添加剂,降低W、Cu之间的接触角,从而改善钨、铜之间的润湿性进行活化烧结。用这种方法能得到较高致密的W-Cu复合材料,但是这些元素的加入降低材料的导电导热性能[6-8]。另外,采用高能球磨制备出的W-Cu粉体具有良好的烧结性能,但是球磨会引入杂质影响材料性能[9,10]。 W-Cu体系烧结一般为液相烧结,是以颗粒重排为其主要致密化机制[11,12],因而W-Cu粉体粒度、均匀化程对其烧结性能有很大影响。制备出超细W-Cu复合粉体成为目前研究的热点,一般采用溶胶-凝胶法[13]、喷雾干燥法[14]、热-机械化学法[15]等。有研究表明,制备出Cu包覆W粉这种结构的超细W-Cu复合粉体,有更好的致密化效果[16]。这种粉体具有良好的压制性能,烧结后可以得到铜网络结构的致密化组织;这种组织具有高导电导热性能。 本文采用化学镀法制备出不同Cu含量的微米级超细W-Cu包覆结构的复合粉体。即首先对购买的原始W粉进行化学预处理,得到具有一定活性表面的预处理后的W粉。然后在预处理后的W粉表面化学镀铜。通过控制加入Cu主盐的含量来制备出铜含量分别为15%、30%、50%的W-Cu复合粉体。并对粉体进行表征,确定用这种方法可以制备出不同成分且组织结构均匀的Cu包覆W结构的复合粉体。 2 实验与检测 2.1 W粉预处理和镀铜 用一定量HF(浓度≥40%)和一定量的氟化铵配制成预处理液。所用的W粉费氏粒度为3μm(厦门虹鹭钨钼工业有限公司)。用天平称取一定量的W粉,加入到预处理液中, 在超声清洗器中超声分散处理30min后。用去离子水清洗、沉降,直至去除杂质离子后,在60℃烘箱干燥,得到预处理后的W粉。称取三份5g预处理后的W粉分别加入A、B和C三个烧杯中。配制W粉镀铜的蓝色镀液,镀液的主盐是CuSO4?5H20,用HCHO作还原剂。用化学计量法计算CuSO4?5H20的含量,往A、B、C三个烧杯中分别加入3.45g、8.37g、19.53g的主盐。然后在60℃水浴条件下镀铜,通过不断添加NaOH调节pH在11-13之间使反应顺利进行。在反应过程中,用玻璃棒不断搅拌,直到溶液由蓝色变澄清,即反应完全。取出烧杯,用去离子水不断清洗,直至去除杂质离子后,倒去上层清液后在60℃烘箱烘干,得到三种W-Cu复合粉体。 2.2 成分分析与检测 将得到W-Cu复合粉末,用化学分析法分析其中Cu的百分含量。对得到的三种W-Cu粉体各取1.0000g,溶解在稀HNO3中,足够时间后使Cu完全溶解,清洗干燥后取出剩下的钨粉称重。计算W和Cu的质量百分含量。最后分别得到0.8466g、0.6822g、0.4921g。 用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)观测原始W粉、预处理后的W粉表面形貌,和W粉镀铜后得到的三种W-Cu复合粉体的形貌。再用X射线衍射仪(XRD)表征W-Cu复合粉体。 3 结果与讨论 3.1 W粉预处理前后的形貌 图1为预处理前后W粉的FE-SEM形貌图。从图可以看出,未经过预处理的W粉表面光滑平整,呈现多变形结构。通过预处理后,W粉形状没有发生明显变化,只是形成了有凸起、蚀点等较均匀缺陷的粗糙表面。这样的表面具有足够的表面能,使铜在W粉表面缺陷形核,实现均匀包覆的W-Cu复合粉体。 图1. FE-SEM图:a 钨粉预处理前;b 钨粉预处理后 3.2 W-Cu复合粉体的组成和含量分析 用化学分析法分析W-Cu复合粉体,通过计算得到Cu的质量百分数分别为15.34%、31.78%和50.79%。由此可知,用这种控制主盐的百分含量的方法来实现控制W-Cu复合粉体的Cu含量和理论制备W-15Cu、W-30Cu和W-50Cu的值很相差很小。这Cu含量相对理论值偏高原因可能和清洗残留的W粉的流失有关。 图2为三种不同成分的W-Cu复合粉体的XRD图。从图可以看出,均只有W峰和Cu峰,没有其他元素的峰,这说明用这种化学镀的方法制备W-Cu复合粉体纯度较高。同时可以看出,三种粉体W峰都很强,这和W的含量高有关;而Cu锋的强度随着Cu含量的增加而增加。 图2 W-Cu复合粉体XRD图谱 3.3 W-Cu复合粉体的形貌 图3(a-f)为三种不同成分的W-Cu复合粉体是FE-SEM图像。可以看

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