8导体和电介质.ppt

3. 柱形电容器 Ra Rb L (同轴电缆) ?r Ra ?r + l - l Rb ?r Rb Ra 真空 讨论 (1) 若Ra Rb-Ra，则 (2) 已知电介质的击穿场强 (Em)，求电容器的耐压。 d S Ra Rb 例 一单芯同轴电缆的中心是一半径为R1的金属导线，外层是一金属层，如图所示。其间充有相对电容率为?r 的固体介质，当给电缆加一电压后，已知介质内外层的电场强度满足关系E1 = 2.5E2 。若介质最大安全电势梯度为Em ， ?r 电缆能承受的最大电压。 解 取图示柱形高斯面，设金属导线和金属层单位长度上的带电量分别为±l，则用含介质的高斯定理，得 求 r 所以 ?r 而 由电场强度和电势的积分关系，电缆能承受的最大电压为 r 高压电容器(20kV, 5~21?F) (提高功率因数) 聚丙烯电容器 (单相电机起动和连续运转) 陶瓷电容器 (20000V 1000pF) 涤纶电容 (250V 0.47?F) 电解电容器 (160V 470 ? F) 例 平行板电容器，极板面积为S，板间间距为d，现充有两种电容率分别为e1和e2，厚度分别为d1和d2的均匀电介质，如图所示。 求 求此平行板电容器的电容。 解 设两极板带电荷面密度分别为+s 和-s， 取圆柱形高斯面，由高斯定理，得 两板间的电势差 A B 电容为 各层电介质中的电场强度不同； 此电容器相当于两个电容器的串联。 平板电容器中充介质的另一种情况 推广 A B 由于极板内为等势体 由①和②得 ① ② 两板间的电势差 电容为 各层电介质中的电场强度相同； 此电容器相当于两个电容器的并联。 §8.5 电场能量 主要内容： 1. 电容器中的储能 2. 电场能量 A B 以平行板电容器充电过程为例，来计算电场能量。 设0→t 时间内，从B 板向A 板迁移的电荷量为 q = q ( t ) ， 将 dq的电荷由B 板移到A 板，电源需作的功为 极板上电量从0 →Q 时，电源所作的总功为 + +Q -Q 则，两极板间的电势差为 电容器中电场储存的能量We 的数值就等于A ，即 对于平行板电容器 能量密度 对于非均匀电场 已知均匀带电的球体，半径为R，带电量为Q R Q 从球心到无穷远处的电场能量 解 r 求 例 由高斯定理，得球体内外的电场强度为 取半径为r，厚度为dr 的微分元dV 总电场能量 R Q r 若为金属球，则 又半径为R 孤立导体球的电容为 一空气平行板电容器，电容为C，与电压为U 的电源相连接，如图所示。若保持电容器与电源连接， 把两极板间距增大至 n 倍。 外力所作的功。 求 例 + + + + + + + + d nd - - - - - - - - - - - - - - - - 解 拉开两极板的过程，电容器电容的变化为 电场能量的变化为 电场能量增量 + + + + + + + + d nd - - - - - - - - 拉开两极板的过程，电容器极板上电量的变化为 电源所作的功为 外力所作的功为 本章小结 1. 导体的静电平衡条件及导体上的电荷分布 (1) 导体静电平衡的条件 ?导体表面 用电势描述：导体静电平衡时是一个等势体。 (2) 导体静电平衡时的电荷分布 导体内部处处没有净电荷存在，电荷只能分布在导体表面上。导体表面附近一点的电场强度与该点处导体表面电荷的面密度之间的关系为 2. 静电场中的电介质 (1) 电介质中的高斯定理 通过高斯面的电位移通量等于高斯面所包围的自由电荷的代数和。 (2) 对各向同性的均匀电介质 电位移矢量： 介质表面极化电荷面密度 ： 3. 电容器的电容 定义： 电容器电容的计算 q (1) 平行板电容器 (2) 球形电容器 (3) 柱形电容器 4. 电场能量 能量密度 电场总能量 电容器中电场储存的能量 世界上首次得到具有压电效应的半导体纳米环结构 （本章由徐忠锋编写制作） 第8章 静电场中的导体和电介质 性能优良的合成绝缘子 §8.1 静电场中的导体 主要内容： 1. 导体的静电平衡条件 2. 静电平衡时导体上的电荷分布 3. 静电感应与静电屏蔽 8.1.1 导体的静电平衡条件 静电平衡 导体内部和表面上任何一部分都没有电荷的宏观定向运动，我们称这时导体处于静电平衡状态。 导体静电平衡的条件 ?导体表面 (1) 导体内部任意一点的电场强度都为零； (2) 导体表面上任意一点的电场强度方向垂直于该处导体表面。 静电平衡导体的电势 导体静电平衡时是一个等势体，导体的表面是一个等势面。 8.1.2 静电平衡时导体上的电荷分布 1. 当带电导体处于静电平衡状态