以CdSe为模型的研究纳米晶合成机理.pdfVIP

摘要 半导体纳米晶(NCs)因其具有独特的光电性质，在荧光标签，发光二极管和太阳 能电池等领域具有良好的应用前景，吸引了广大学者的研究兴趣。为了研究纳米晶的形 了一系列高质量的六方晶系纤维锌矿结构的，能从发绿光到红光的强烈光致发光性能的 CdSe纳米晶。以此为参照体系，系统研究了反应温度、热浮动、搅拌速度、注射速率 和杂质对CdSe纳米晶的形成和光致发光性能的影响。讨论了大规模、低成本的可重复 性合成高性能CdSe纳米晶的可行性，这些研究将会适用于其他胶体半导体纳米晶材料 的合成优化。研究表明合成温度的稳定性对产物的光学性能和结晶起着十分重要的左 右。当体系的合成温度逐渐降低时，产物有由纳米颗粒向纳米棒发展的趋势，时间越长 越明显。减慢搅拌速度和注射速率以及降低TOP和TOPO的化学纯度则导致产物的PL最 大值的红移。在保持产物良好的光学性能的前提下，可以用价格低廉的90％甚至更低纯 度的HDA来取代昂贵的99％高纯度的HDA，大幅度降低了合成成本。 ‘本文介绍了一种新方法来原位合成发光的CdSe纳米晶于尼龙中。纳米晶在聚合反应 进行时，就已“冻结’’或固定到了聚合体的网络中。这些纳米晶在均匀的分布于聚合体 之中的同时也保留了其优异的光致发光特性。这种功能复合聚合体在液相状态下进