三势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数.pdfVIP

第 39卷 第 11期 西 南 师 范 大 学 学 报 (自然科学版) 2014年 11月 Vo1．39 No．11 JournalofSouthwestChinaNormalUniversity(NaturalScienceEdition) Nov． 2014 三势垒共振隧道结构 中电子的 几率分布和势垒贯穿系数① 明庭 尧 重庆大学 城市科技学院，重庆 402167 摘要：建立了三势垒共振隧道结构的物理模型，应用量子力学和固体理论 ，求出了电子的波函数和几率分布，以具 有势阱材料 InossGao As和势垒材料 Ino．szA1sAs的纳米系统为例，探讨了电场对三势垒共振隧道结构电子几率 分布和势垒贯穿系数的影响．结果表明：当能量较小时，电子的几率主要分布在第 l势阱中，而当能量较大时，则 主要分布在第 2势阱，在势垒中电子几率很小；电子随能量的几率分布有波动性，在共振能附近的几率极大，共振 能随着电场强度的增大而减小 ；电场的存在会使电子的最可几位置向人 口势垒方向移动，而使 电子贯穿势垒系数 减小；电子势垒贯穿系数随能量增大而增大，当能量较小时，其数值及其随能量的变化都较小，当能量较大时情况 则相反． 关 键 词：三势垒共振隧道结构 ；电子几率分布；电子势垒贯穿系数；电场 中图分类号：O413．1 文献标志码：A 文章编号：1000—5471(2014)11—0056—06 CARULINOVAF于 1971年提出、并由FaistJ等人于 1995年实现的量子级联激光器 自从问世 以来， 已引起人们的广泛研究兴趣ll]．文献23]从实验上研究了900nm三层隧道级联激光器结构的优化问题， 指出量子级联激光器的最佳功率与组成它的基本单元的纳米共振隧道结构的性质密切相关，而这种结构的 性质与它的线度和它所处的外场等有关；文献-[4-1试图从理论上研究 Si／SiGe量子级联激光器的能带设计 。 但未考虑电场的作用；文献[5—7]对两势垒、三势垒共振隧道结构中电子准定态的共振能、共振宽度等进 行了研究，但未研究其在垂直于各层方向上施 以恒定电场时电子的几率分布，更未研究它的电导率、辐射 强度等性质．鉴于量子级联激光器的奇特性质及其广泛的应用价值，本文将建立三势垒共振隧道结构的物 理模型，求出电子的波函数和几率分布以及电子势垒贯穿系数与 电场等的变化关系式，以具有势阱材料 Ino。Ga As和势垒材料 Ino．。A1。As的纳米量级三势垒共振隧道结构系统为例，探讨电场对 电子几率分 布和势垒贯穿系数的影响． 1 电子满足的方程 量子级联激光器是利用量子阱中子带之间的跃迁 ，实现光发射的新型太赫兹激光光源．在厚度为纳米 量级的平面状绝缘体材料(如 In 。A1 As)中，相间嵌以厚度为纳米量级的两层平面状半导体材料 (如 Ino。Ga As)，就构成了一个量子级联激光器的基本单元．在绝缘体材料 In。．Al。As中电子势能较大， 而在半导体材料 In 。Ga As中电子势能较小，因而可 以在 In 。Ga叭 As中电子的势能为零，而在绝缘体 ① 收稿 日期：2014—01～18 作者简介：明庭尧(1982一)，男，湖北黄石人，讲师，主要从事理论物理的研究工作 第 l1期 明庭尧：三势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数 57 材料 中电子的势能为 ，这样 ，它们就构成了一个三势垒共振隧道结构．设结构的总厚度为b，其 中绝缘体 材料层的厚度为 △ ，△z，△。，电子的有效质量为m ，而半导体层的厚度为b，b，电子的有效质量为m。．将 它们置于强度为F的均匀电场中，电场的方向垂直于各层平面．取第1层的表面为坐标原点，而 轴与电场 同方向，建立坐标系(图1)．于是，在这样的三势垒共振隧道结构中，电子的有效质量可写为： 。 o，Z1 G2， Z4， b 一