Lu2Si2O7：Ce闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究.pdfVIP

维普资讯 第 21卷 第 3期 无 机 材 料 学 报 Vo1．21．NO．3 2006年 5月 JournalofInorganicMaterials May,2006 文章编号：1000—324X(2006)03—052~06 Lu2si2O7：Ce闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究 李焕英，秦来顺，陆 晟，任国浩 (中国科学院上海硅酸盐研究所，上海 201800) 摘 要；用提拉法生长了Lu2Si2OT：Ce晶体，讨论了晶体生长过程中的几个问题； (1)熔体挥 发； (2)晶体开裂； (3)层状包裹．生长过程中LPS和 Si02均存在挥发，其中后者 占主导； LPS挥发不会造成组分偏析，因此对生长过程没有负面的影响．接种温度偏低导致晶体出现多 晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因．层状包裹现象的出现主要是 由于该 晶体的结晶温度范围狭窄，熔体容易出现组分过冷，以及生长设备