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- 2015-08-22 发布于未知
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无机材料学报
维普资讯
第 10卷 第 2期 无 机 材 料 学 报 、 .10.No.2
1995年 6月 JournalofInorganicM aterials June,1995
j《》PZT基陶瓷铁电一反铁电相界处各向异性的研究
l}一l 董显林 孙大志 王永令 -rq』7 《
(中国科学院上莓 蘸噩研究厅 机两琵材料开放实验室 上海 2o0050)
摘 要
A本文研究了两个以PzT陶瓷为基的系统:PzT(Nb)和PSZT陶瓷在铁电一反铁电相
界区域的压电和机 电耦合等性能.结果表明,PZT基陶瓷在该相界处具有高 和低
的性质.压电和机电耦合各 向异性也 比准同型相界要高, ldaa/dsll5.5,凰 /Kp3.0.借
助于 电场诱导AF—F相变和反铁电双子晶格间的强耦合作用,对此现象作了较好解释.
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