PZT铁电薄膜Sol—Gel技术制备和电性能研究.pdfVIP

维普资讯 第 19卷 第 2期 无 机 材 料 学 报 Vo1．19，NO．2 2004年 3月 Mar．，2004 文章编号：10003·24X(2004)02—0354—07 PZT铁电薄膜 Sol—Gel技术制备和电性能研究 夏冬林 ，刘梅冬 2，赵修建 ，周学东 (1．武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室，武汉 430070；2．华 中科技大 学 电子科学与技术 系，武汉 430074) 摘 要 ：以乙酸铅 (Pb(CH3COO)23·H20)、钛酸四丁酯 (Ti(OC4H9)4)、硝酸锆 (Zr(NO3)45·H20) 替代锆醇盐为原料，通过在Pt／Ti／SiO2／Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层，采用改进的so1． gel工艺制备出无裂纹，致密性好，晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0．53Ti0．47)O3 铁 电薄膜．实验结果表明