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线阵计数型多能CZT成像系统的性能研究 张岚a，李元景b，a，郑晓翠a，朱维彬a，邓智b，李鹏字a，胡洁a， (a．同方威视技术股份有限公司，北京) (b．清华大学，北京) 摘要：本文介绍了该研究小组搭建的线阵计数型多能碲锌镉探测器系统，包括我们自己制备的线阵CZT 探测器，其电学性能和辐射探测性能的检测，并测试了它的耐辐射性能：用离散元件建成的多能成像 的电子学系统及其性能检测；整个成像系统的性能检测结果。给出了初步的实验结果及分析讨论。 关键词：：CdZnTe，CdTe，计数成像，半导体探测器 一．引言 辐射成像的研究重点是低的剂量，高的图像质量，快的成像速度，更多的被检测物质的信息等。 获得这些优异性能的方式有新型的探测介质，速度更快耗能更少噪声更低的电子学系统，更全面有效 的图像重建算法和整个成像装置的优化设计等。传统的成像系统多采用电流积分的读出方式，需要的 剂量大，能谱硬化问题突出，无法取得更详细的有关被检测物的信息。 计数型多能CZT成像系统[文献1]从信号的读出和处理方式上，在一定程度上使上述的性能需求得 到满足。CZT探测介质的高探测效率，高的能量分辨率，室温的可操作性，使CZT在该领域成为首选的 探测器之一，尤其对于能量在200-300key以下的X射线和伽玛射线的成像应用更具优势。 本文介绍了我们半导体探测器小组搭建的CZT线阵计数型多能成像系统的情况，包括各种基本性 能检测和图像。 二．线阵CZT探测器及其性能 和成像实验。 296 图1。线阵像素的CZT探测器 晶体的丛本性能捡测主要是漏电流和能话分辨率的测试。幽2给出了其中一条线阵CZT的像索谢 电“L测fJ}值，这些像素是性能好的．其漏电流值主要分布枉儿十p^的嫩级，能够为能谱特性提供低的 噪卢，还有迎接不好的像素，在重新引线后给山了女，的捕。b流值。有两个像素，漏-b流偏人，逃到了 有--：1i像素的性能很好，而另一半像素的性能有好有坏．所以我们把两条CZT品体像秉性能好的一半 对接起米，组成32像素的线阵探测器。 ；ii 图2。线阵CZT的像素漏电流 阏安检成像使用的x射线能帚土要分布在200key以山，而吐续的x射线能谱的峰值在60key左右． 2％， 能母分辨率主要分布在57％左右，晟好的分辨率迭到5 最差的分辨率为68％。我们发现潮电流 的值与能量分辨率的对应较一致，低的漏电流值对应好的分辨率。我们原来制备的大的平面电极的CZI 探测器对60keg的能量分辨率，在儿个nA的漏电流时都可以达到42％。而该系统的漏电流小，像景面 积小．电容小，本应有更好的能簧分辨率，但这套系统是刚离敞原件措建的，有些像素的信号引出线 到前放的输入端较远，应是带米筹的噪声币l莘的能量分辨率的__I三田。将米我们H{13上设计的芯片进行 封牿时．探测器信号输…与li_『】皮紧邻．性能会有人的提高。 三．多能成像的电子学系统 嚣霹裔 N”∥：÷镯 嘲5。线阵CZT探测器32通道的噪声水平 四．CZT探测器的耐辐射性能测试： 用于成像的系统，通常要经受长期的强的辐照并能保证探测系统的性能不会有大的变化。为 了了解我们自己制备的线阵CZT探测器的耐辐照性能，我们用相同的流程制备了一个平面电极的CZT 光机的剂量从50Gy开始递增，测试了探测器的漏电流和对24Am60keY能谱随剂量的变化。漏电流在 60keV射线的分辨率一直在5％左右，到6000Gy时，分辨率变为8．4％，当剂量进一步增加到8000Gy 后，探测器不再有能谱输出(图6)，且放置80天后再次测量，CZT探测器的性能没有恢复。 啊 暑t000 o