Zn0．9Mg0．1O：Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究.pdfVIP

维普资讯 第 21卷 第 3期 无 机 材 料 学 报 V01．21．No．3 2006年 5月 JournalofInorganicMaterials May，2006 文章编号：i000—324X(2006)03—0707-06 Zn0．gMg0．1O：Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究 陈志强，方 国家，李 春，盛 苏，赵兴 中 (武汉大学物理科学与技术学院、纳米科技 中心，武汉 430072) 摘 要： 利用脉冲激光沉积法 (PLD)制备了Ga掺杂的Zno9Mgo1O(ZMO：Ga)宽带隙透明导 电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能 的影响．结果表明，制备的薄膜具有 ZnO(002)择优取向；200。C下沉积的薄膜通过 3×10 Pa 的真空 400。C退火 2h后，其电阻率由8．12×10 Qa·m减小到 4．74xi0_4Qa·m，禁带宽度则由 原来的 3．