薄膜晶体管a—Si：H／a—SiNx界面研究.pdfVIP

维普资讯 第 11卷 第 1期 丸 帆 材 料 学 报 VoL 11 No 1 1996年 3月 JournalofInorganicM aterials M arch 1996 Ii； 1 薄膜晶体管 H／a-S 界面研究 胡 宇 飞 孙 剑 钟 伯 强 黄 慈祥 潘 惠 英 摘 要 J凸i对比a．si：H／siN界面附近a_si：H和体材料 ：H的光致发光谱L)发现：随着 SiN 中 的增大 ， PL峰值 向低能方 向移动 ，柑对发光强度减小 ．这是 因为 由于氮含量 的增加 ，界面 品格 不 匹配加剧 ，导致悬挂键密度 增多和深能级 隙态密度增加 ．该观点得 到 0一V测试结果 的证实 ． 关 键 词 a-Si：H／a-SiN 界面，光致发光谱，隙志密度， C—V