衬底温度对Al＋N共掺p—ZnO薄膜性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第2O卷 第 3期 无 机 材 料 学 报 Vo1．20．NO．3 2005年 5月 May，2005 文章编号：1000—324X(2005)03—0750—05 衬底温度对Al+N共掺P—ZnO薄膜性能的影响 曾昱嘉，叶志镇，吕建国，李丹颖，朱丽萍，赵炳辉 (浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027) 摘 要： 目前，制备性能优异的p．ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发 展的一个主要因素．本文利用直流反应磁控溅射技术，以X射线衍射，霍尔效应测试，X射 线光电子能谱及透射光谱为表征手段，研究了不同衬底温度对AI+N共掺p-ZnO薄膜电学、 光学、结晶性能的影响，并从N20的分解反应及衬底表面各种原子的迁移过程提出导致薄膜 性能差异的原因．在最佳衬底温度 (500。C)时，P．ZnO薄膜空穴浓度达2．52×10cm_。，