氮化钼膜电极制备工艺及其电化学行为的研究.pdfVIP

维普资讯 第 16卷 第 5期 无 机 材 料 学 报 VO】 16，N o 5 2001年 9月 JournalofInorganicM aterials Sep ，2001 文章编号：1000—324X(2001)05-1019-05 氮化钼膜 电极制备工艺及其电化学行为的研究 朱云贵，李 学 良，王华林 ，何建波，鲁道荣 f合肥I业大学化I学院，合肥 230009) 摘 要 ： 研究了氮化钼膜 电极的浸渍 一煅烧法制备工艺条件及其 电化学行为 试验结果表 明，浸渍 一煅烧法制 备高活性 氯化钼膜电极适 宜的浸渍干燥 温度 为 513~473K，煅烧 升温速率 为 1Krain～ 煅烧 温度为 990K．煅烧 时间为 2h 冷却方式为在氨气保护下 随炉降温 浸渍 一煅 烧法制备的氮化钼 电饭成膜均匀．与基体附着性强 ；在一022～036V(vsSCE)屯位范围内．循