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射频电路设计与实现 姓名：韩宪明 2012.3.22 射频电路设计与实现 Ⅰ功放的指标 Ⅱ TD-LTE的介绍和芯片仿真 Ⅲ负载牵引和源牵引 Ⅳ下一步计划 Ⅰ功放的主要指标 1.增益 2.驻波比 3.噪声系数 4. 稳定性 5.1dB压缩点  Ⅰ功放的主要指标 1.增益 根据线性网络输入，输出端阻抗的匹配情况，可以定义三种功率增益：可用功率增益、转换器功率增益、工作功率增益（或工作规律增益）。对于实际的低噪声放大器，功率增益通常是指信源和负载都是50Ω标准阻抗情况下实测的增益。低噪声放大器都是按照噪声最佳匹配进行设计的。噪声最佳匹配点并非最大增益点，因此增益G要下降。噪声最佳匹配情况下的增益称为相关增益。通常，相关增益比最大增益大概低2－4dB。 Ⅰ功放的主要指标 1.增益 转换功率增益： 工作可用功率： 可用功率增益： Ⅰ功放的主要指标 2.驻波比 低噪声放大器的最主要的指标是噪声系数，所输入匹配是按照最佳噪声系数来匹配的。这样会导致输入匹配偏离最佳的输入匹配状态，从而导致输入驻波比不会很好。由于微波场效应管和晶体管的增益是以每倍频程6dB滚降，为了获得在工作频带内的平坦的增益特性，往往采取低端失配的方式来压低增益，以保持带内增益平坦，因此端口的驻波比随着频率的降低而升高。在设计电路中，一般用驻波系数VSWR来表示放大器的输入阻抗匹配性能和输出匹配性能。其表达式为： 是反射系数。 Ⅰ功放的主要指标 3.噪声系数 放大器的噪声系数F可定义如下： 通常，噪声系数用分贝数表示，此时 式中，Si，为输入信号功率； Ni=KToB，为标准输入热噪声功率； So=G*Si，为输出信号功率； No=G*Ni+△N，为总的输出噪声功率； △N，为功率放大器本身额外的噪声功率； G，为放大器的输出功率增益；  Ⅰ功放的主要指标 4. 稳定性 设计放大器，首先必须满足的条件是在其工作频段内的稳定性。定义S矩阵的行列式及K、B1和μ因子为: Ⅰ功放的主要指标 4. 稳定性 (1)K- 判据，放大器无条件稳定需满足： (2) K-B1判据，放大器无条件稳定需满足： （3）μ判据，放大器无条件稳定需满足： Ⅰ功放的主要指标 5. 1dB功率压缩点 当放大器的输入功率达到饱和状态时，其增益开始下降，或者称为压缩。典型的输入、输出功率关系可以画在双对数坐标中： Ⅱ TD-LTE的介绍和芯片仿真 1.TD-LTE介绍 2.MG20217H仿真 Ⅱ TD-LTE的介绍和芯片仿真 1.TD-LTE介绍 TD-LTE是目前全球移动通信领域研究热点之一。作为TD—SCDMA的后续演进技术，我国拥有自主知识产权的下一代移动通信技术TD—LTE已于2010年10月被国际电信联盟最终确定为第四代移动通信（4G）的国际标准包括FDD-LTE（通常简称LTE）和TD-LTE两种技术标准。目前LTE的下载速度最高可以达到150Mbps。中国移动在2010年世博会期间启动了TD-LTE测试网络服务，目前TD-LTE的下载速度最高可以达到100Mbps。中国移动于2010年下半年在3个沿海城市进行TD-LTE网络试验，为青岛、厦门和珠海[1]。在2012年移动世界大会（Mobile World Congress，MWC2012）上，工信部科技司副司长沙南生介绍，2012年，中国将在现有6个城市基础上进一步扩大TD-LTE规模建设，增加城市数量，加强网络建设和优化，提高用户体验。作为TD-SCDMA未来的技术演进方向，TD-LTE的研究日益受到重视，越来越多的运营商、设备商和研究机构投入到TD-LTE的研究中[2]。TD-LTE的主要频段为2.3GHz和2.6GHz，而这两个频段在很多国家还没有被占用。 目前国内最常用的是38和40两个频段： 38：2570 MHz–2620 MHz 40：2300 MHz–2400 MHz Ⅱ TD-LTE的介绍和芯片仿真 MG20217H是一种具有高动态范围、低噪声的单片式微波集成电路放大器，内部是QFN3*3的标准塑料封装，可以理想的用于移动电话，过程控制，长期演进技术，时分同步的码分多址技术、基站宽带码分多址，无线局域网和其他的应用在1500到2700MHz范围内的系统。有着高的三阶输出截取点和低噪声系数，可被用来做发送端中的驱动级放大器和接收端的第二级低噪声放大器。是良好的LTE网络中低噪放的理想芯片之选。 2.MG21217H仿真 图2 优化后的最终设计原理图 Ⅱ