GaN基蓝光LED管芯的制作工艺技术的研究.pdfVIP

第八届全国LEI〕产业研讨与学术会议论文集 基蓝光 管芯的制作工艺技术研究 韩彦军 薛松 吴桐 郭文平 罗毅 清华大学电子工租系集成光电子学国家重点实脸宜，北京,10001 FAX:+8610一6278一4900 Fm9:liny@na..cnphua.du。 摘要:利用低压金属有机化合物气相外延(LP-NIJVPE)设备获得了高质1的工nC}NCeN多1子阱(MQW)结构的蓝光发光二 极管(1习〕)材料。在此基习上，通过优化p电极、感应藕合等离子体(ICP)干法刻性和n电极制作中的各项工艺参数，制作出了在正 向电流为20mA时，工作电压为3.4-3.5V左右，峰值波长为470=,拾出功平为1.5mw的高亮度的蓝光LED. 关键词二LED p电极 IQ干法刻性 n电极 林 1.引言 作为三原色之一的蓝光发光器件如I正1〕可广泛应用于大屏幕全彩显示屏，交通信号灯和众多的消费电子领 域。III族氮化物半导体是直接带隙材料，从而有较高的发光效率，其带隙能量覆盖了从1.9eV到6.2eV的范围， 特别是InGraN合金最适合作蓝绿光发光器件的有源区。进人90年代后，随着III族氮化物材料生长和器件工艺水 平的不断发展和完善，特别是日本日亚公司在CraN蓝绿光1F!〕器件取得成功以后,[,,III族氮化物材料和器件逐 渐成为研究的热点。近年来，虽然基于GaN的蓝光LF3〕已经批量生产并得到了一定程度的应用，但其制造技术一 直作为高度机密被国外大公司所垄断，很多技术问题尚需仔细研究。本文对高亮度InGraN/CraNMQW蓝光LEI〕制 作过程中的一些重要参数进行了讨论。 2.实验 LEI〕结构由低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备进行外延生长，如图1所示。其中ra〔N缓冲层 的厚度为25=,n型CraN层的电子浓度为3x10an,厚度为2tan,p型Oral，层的空穴浓度为3x10an，厚度 为23)二。详细的生长条件可参阅参考文献2【1. 在材料生长完成后，先进行材料退火，然后制作刚Au透明电极和 NVAu焊盘，接下来用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)设备沉 InGaN/GaN 5QWs 积Sq作掩膜，用感应藕合等离子体(ICP)刻蚀设备进行干法刻蚀，并 CaNbuffer 腐蚀掉剩余的Siq，最后制作n电极，完成任工〕的制作工艺。在此过 程中测量相邻p电极之间、相邻n电极之间和p-n结的电流一电压(I 图ILEI)外延层结构示意图 一V)特性。 3结果和讨论 难以获得高空穴浓度的p型掺杂和低接触电阻的p电极是制约IFJ〕器件性能提高的最大障碍。掺吨 的 CAN并不直接表现为低电阻率p型导电，因为在外延层中形成了Mg一H络合物，从而钝化了受主。为此需要通过 退火激活受主，一般工艺条件是在氮气中高温退火。目前，在02中退火引起了人们的注意01。另一方面，合适的p 《国际光电显示技术》LXD专刊 第八届全国LED产业研讨与学术会议论文集 -CraN的表面处理方法对降低附Au接触电阻至关重要a[]。图2表示了两种不同表面处理方法对LED3延卜层上 两相邻NWAu电极之间I一V特性的影响。由图可见，表面处理方法II可以极大地降低P透明电极的接触电阻。 4 1 仆 任 1 1 0 1 的 2 舫 互 盯 七 如 巴 助 0 ， 叫 的 山