PIPS探测器的能量响应的MC计算.pdfVIP

· 152· 辐射防护 第27卷第3期 图1探测器模型侧视图 图2探测器模型俯视图 1 Side、，iewofdetec自Drnlo【ld 2 Ve施cal、riewofdeIec栅lmdel Fig Fig 计算和实验过程中，照射条件为单能的7 mm2，阈值取O．03M“，补偿层与探测器之间的 光子平行于。轴方向均匀入射到探测器上；对 距离为2H肌。 于加补偿层的情况，垂直照射到补偿层上，7光 子的能量范围为0．05—1．5Mev。 1()1 ● 2补偿层对能量响应的影响 j三、1(】({ 2．1电磁屏蔽材料的选择 ∽ 由于P璐探测器和电荷灵敏放大器对外 界的光信号和电磁信号较灵敏，为提高探测系 蓥 聪 统的稳定性，减少环境干扰，必须在探测器和电 荷灵敏放大器外加电磁屏蔽层。常用的屏蔽材 10— 10-2 10琵景(M。v)100 10 料有奥氏体不锈钢、坡莫合金、铜、铝等。为便 于屏蔽外壳的焊接，我们选用不锈钢和坡莫合 图3在补偿层上打孔对能量响应的影响 El‰tof mterswit}I}lole∞ 金作为屏蔽材料。 Fig．3 co玎1pa五son tl】Ie 在探测器外部加电磁屏蔽材料后，屏蔽材 erlergyresp伽旧e 料本身也起到了补偿作用，它与高原子序数的 主补偿层构成复合补偿层。 从计算结果可以看出，补偿层打孔后探测 器的灵敏度在低能段有较大的增加，从而使该 2．2电磁屏蔽材料的形状对能响的影响 能段的能量响应有明显的改善。但由于所研究 在能量响应的研究过程中，经常采用刻缝 的PIPs探测器灵敏面积较小，打孑L工艺要求很 和打孔的方式对补偿层进行加工处理，通过选 高，从而限制了这种方法的使用。因此，在半导 择合适的孑L隙率来改善探测器的能量响应性 能。本文以未打孔和打孔后的0．5衄镉补偿 体探测器能量响应补偿研究中，通过将不同材 料叠加在一起构成复合补偿层的方法是一种更 层为例，分别计算了两种情况下的探测器能量 为实用的补偿方式。 响应，计算结果见图3。打孔情况下的计算模 2．3轻材料内衬的作用 型：在0．5—砌厚镉补偿层正中央位置开一个5 咖×5衄的方形孔，即空隙率为0．25。探测 轻材料能够吸收能量较低的入射光子和次 级带电粒子，使中低能段的灵敏度值降低。为 器规格：耗尽层厚度145脚，灵敏区面积为36