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Si取代对BiNbO4烧结及微波介电性能的影响.pdf

第26卷第6期 电 子 元 件 与 材 料 Vbl.26No.6 2007年6月 ELECTRoNICCoMPoNENTSANDMATERIALS Jun.2007 Si取代对BiNb04烧结及微波介电性能的影响 林易州,杨同青,丁士华,姚熹,张良莹 (同济大学功能材料研究所,上海 200092) 摘要:采用传统固相反应法制备样品,研究了si02掺杂对BiNb04烧结特性、微观结构、介电性能的影响。利用 HP8753E网络分析仪测试样品微波性能。实验结果表明,si取代后样品逐渐出现了三斜相,随着si取代量的增加, BiNb0。陶瓷的烧结温度升高,晶粒变大、形状变不规则、样品Q值减小、谐振频率温度系数由正值向负值转变。 关键词:无机非金属材料;BiNb0。;微波介质陶瓷;掺杂;介电性能 中图分类号:TM24 文献标识码:A 文章编号:100l一2028(2007)06,0042—03 the ofSionthe andmicrowaVe Effectsof substitution sintering of ceramics BiNb04 properties LIN Shi_hua,YAOXi,ZHANGLiang-ying Yi-zhou,YANG,】№ng-qing,DING (FunctionalMatedalResearch 20092,China) Laborato阱Ton舀iUniVerSityShallghai were conVentionalsolid reaction and Abstract:S锄plespreparedby phase metllod.Sintering microwavedielectric of ceramics were HP 8753Ewasusedto BiNb04 Si02 Agilent properties dopedby inVestigated.The of resultsshowmatwiththe ofSi measurethe111icrowavedielectric increasecontent,the砸clinic propeniessamples.The becameand Valueof decreasesand phaseeme昭esgradually’thesinteringtemperatureincreases,grainsbig abnormal,theQ the coefncientofresonance from to Value. temperature frequencychangespositiVenegatiVe words:non-metallic dielectric Key ino碍anicmaterial;BiNb04;microwaveceraIllics;doping;dielectricpropenies 随着微波介质材料的迅速发展,应用多层整合电

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