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2015-08-26 发布于重庆
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ST2341(低压,P,场效应管).pdf

ST2341 P Channel Enhancement Mode MOSFET -3.5A DESCRIPTION ST2341 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management, other battery powered circuits, and low in-line power loss are required. The product is in a very small outline surface mount package. PIN CONFIGURATION FEATURE SOT-23-3L -20V/-3.3A, RDS(ON) = 36m-ohm (Typ.) @VGS = -10V 3 -20V/-2.8A, RDS(ON) = 45m-ohm @VGS = -4.5V D -20V/-2.3A, RDS(ON) = 55m-ohm @VGS = -1.8V G S Super high density cell design for extremely low RDS(ON) 1 2 Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 1.Gate 2.Source 3.Drain SOT-23-3L package design PART MARKING SOT-23-3L 3 41YA 1