热压过程中Ti3SiC2陶瓷的合成机理研究.pdfVIP

Treatment 2012年1月 材料热处理技术|MaterialHeat 热压过程中Ti拭C2陶瓷的合成机理研究 袁蝴蝶，尹洪峰，潘丽清，卢琳琳，高魁 (西安建藐科技大学材料科学与工程学院，陕西西安710055) 热压产物的相组成，用SEM和EDS观察试样的显微结构，并讨论了Ti，SiC：陶瓷的合成机理。 关键词：烧结温度；Ti3SiC2；合成机理 中图分类号：TB333 文献标识码：A of Ceramic Hot Mechanism Synthesis Ti3SiC2 DuringPressing Y1JAN Kui Hudie，YIN Linlin，GAO Hongfeng，PANLiqing，LU ofMaterials (School ScienceEngineering，Xi’anUniversityofArchitecture＆Technology,Xi’an710055，China) liom at ceramicmaterialwas Ti，Si，C Abstract：Ti3SiC2 synthesizedbyhot—pressingsinteringprocessing powders 1000～1 was to SEMaswellas 600℃，respectively．XRDemployedanalyzephasecompositionofhot-pressingproducts，and EDSwere to themicrostructureofthe onthis mechanismwasdiscussed． basis，then，synthesis employedstudy products，and mechanism Keywords：sinteringtemperature；Ti3SiC2；synthesis Ti，SiC：材料具有较高的力学性能、抗热震性能 和抗氧化性能以及良好的导电和导热性能、较低的 摩擦系数以及可加工性，因此该材料可用作高温结 试样进行物相分析．并采用SEM和EDS对其进行 构材料、可加工性陶瓷、窑具、热交换器等，并可应用 显微组织观察；试样体积密度和气孔率采用阿基米 于航空航天发动机等方面【1捌。目前，人们对制备高 德法测定。 纯致密及高力学性能的Ti，SiC：材料研究甚多，且对 2实验结果及讨论 其结构及制备方法已有了全面的了解。但对其反应 机理研究甚少。鉴于此，本实验针对不同温度下保 2．1试样的致密化 温一定时间得到的合成产物进行物相分析和显微结 图1为烧成温度对体积密度和气孔率的影响。 构分析．由此探讨其物相演变。 从体积密度曲线中可知．烧成温度在1000～1200℃ 时．试样的体积、密度几乎没有变化：高于1200℃ 1实验材料与方法