氮气分压比对硼碳氮薄膜的组分及光学带隙的影响.pdfVIP

第34卷第 1期 辽宁师范大学学报 (自然科学版) Vo1．34 NO．1 2011年 3月 JournalofLiaoningNormalUniversity(NaturalScienceEdition) Mar． 2O11 文章编号 ：1000—1735(2011)01—0043-04 氮气分压比对硼碳氮薄膜的组分及光学带隙的影响 王玉新， 郑亚茹 ， 王晓玉， 王晓雪， 董李娜 ， 宋 哲 (辽宁师范大学 物理与 电子技术学院 ，辽宁 大连 116029) 摘 要 ：采用射频磁控溅射方法 以不同的氮气分压 比(1／10～2／3)制备出一组硼碳氮薄膜．傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和 x射线光电子能谱(XPS)测量发现样品的组成原子之问均实现了原子级化合．XPS测量结果表明，所有样 品 中的 B、N原子比近似为 1：1，其化学配 比为 B N(0．16x1．46)．紫外／可见 ／近红外分光光度计用于测量样 品 的吸收光谱．由吸收谱线在 低能 区域 (2．0～3．0eV)的光吸收 ，利 用关 系作 图法求 出光学 带隙 Eopt范围为 0．17～ 0．83eV．氮气分压比对薄膜的组分和光学带隙有很大影响 ，其通 过改变 薄膜组分而影响光学带隙 ，并且碳原子数小 的 样品具有较宽的光学带隙．以氮气分压 比为 1／3条件下制备 的样 品中碳原子数最小 ，它的光学带隙最宽为 0．83eV． 关键词 ：射频磁控 溅射 ；硼碳氮薄膜 ；氮气分压比；光 学带 隙 中 图分类号 ：0484．41 文献标识码 ：A 石墨和六方氮化硼 (h—BN，又称 白石墨)具有相同的六角密堆结构及相近的原子尺寸和晶格常数， 但他们的性质却差别很大 ：石墨是一种 良导体而 h—BN是一种绝缘体[1]．二者结构上的相似性启发人们 试图合成一种它们之间的化合物——BCN．也就是说 ，将二者杂化，即将六方氮化硼 中部分硼原子和氮 原子用 C原子替代，或者将石墨 中的部分 C原子用B和 N原子替代．并且期待这种化合物亦为六方网 状结构 (h—BCN)，性质介于石墨与 h—BN之间是半导体或金属[2。]．理论计算和实验研究都表明[5]，不 同成分和结构的硼碳氮薄膜在力学 、热学、光学 、电学等领域具有一系列优异性能，有着广泛的应用前 景．目前对该化合物的性能研究主要集中在力学和电学方面 ，它的光学特性研究的比较少．BCN薄膜 的 光学性能主要取决于所选用的镀膜工艺和沉积参量 [1． 近年来 ，人们选取不同的原料 ，采用多种方法制备 BCN 薄膜．最常见 的化学气相沉积法 (CVD)有 热丝辅助 CVDIn]和等离子体辅助 CVD [1等．各种物理气相沉积法 (PVD)也被用来制备硼碳氮薄膜 ， 如溅射法 (Sputtering)En]、离子束辅助沉积 (IBAD)[14和脉冲激光沉积 (PLD)[15等．制备产物 多为 h—BN与石墨或 B4C的混合物 ，即B、C、N原子并未实现原子级化合．本小组已成功地用射频磁控溅射方 法制备出实现原子级化合的BCN薄膜[1 ，并发现其在可见一近红外光 区具有较高的透过率．笔者在上 述工作的基础上 ，考察了氮气分压 比对硼碳氮薄膜组分和光学带隙的影响 ，为其理论计算提供 了实验 依据． 1 实验 薄膜制备采用射频磁控溅射方法[】引，所用靶材直径为 50mm，由半 圆形石墨 (99．9 )片和 h—BN (99．8 )片组成．工作气体为高纯氩气 (99．999％)和氮气 (99．999 )．采用载玻片为衬底 ，依次用 电子 清洗剂和蒸馏水加热煮沸 30min、蒸馏水超声清洗 30min、无水乙醇超声清洗 40min，用以除去表面吸 附物，然后用氮气吹干 ，放入真空室．在预抽本底真空气压低于 5×1O Pa后充人氩气 ，在溅射功率为 100W、沉积温度为300℃、工作气压为 1．3Pa、衬底负偏压为一200V的条件下，对衬底进行溅射清洗 10min．然后 ，调节各参量至沉积状态镀膜．其值分别为工作气压 1．3Pa、衬底温度 400℃、沉积时间 2h、射频功率 1l0W、氮气分压比(N。／N。4-At)分别为 1／10、1／5、1／3和 2／3．并在镀膜结束后 ，继续对 真空室抽气至气压低于 5×10 Pa后 ，对薄膜进行 600℃热处理，恒温 2