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第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5
CHINESE OFSENSORSANDACTUATORS
2006年10月 JOURNAL Oct．2006
ACMOS PM InfraredDetector
．Transistor
Compatible
WANG 1，W 2，GAO 1。
Ming—zhaoFeng—qi Shu—qin
130025，c^ina；
，1．JilinUniversity，ChangchunJilin 、
＼2．RF CASIC Center，SuzhouJiangsu215021，China，
Department，SuzhouDesign
aMOSFETisbiasedata constantcurrent。the is tothe
Abstract：When gate-sourcevoltageproportional
coefficientiSdeterminedbiascurrentand ratioofthe
temperature．Itstemperature by W／L
tertheoreticaI simulationis biascurrentand ratiois
analysis，Hspiceperformed．When W／L 60“Aand2／
coefficientof obtainedsimulationis2．13
2，respectively，thetemperature gate-sourcevoltage by mV／K．
Basedon
this characteristic，anewinfrareddetectorPMOStransistoras
temperature using
sensitivedeviceis couldbefabricatedstandardCMOSandbulk
proposed，which using
transistorsareconnectedinserialtofurtherincreasethe ofthedetector．
technology．PMOS sensitivity
Keywords：infrareddetector；CMOS effect
technology；MOSFET；temperature
EEACC：4250
王明照1，于峰崎2，高淑琴h
，1．吉林大学物理学院，吉林长春130023； 、
＼2．苏州中科集成电路设计中心，江苏苏州215021／
摘 要：二极管连接的MOS管以恒定电流偏置时，栅源电压与温度成线性关系．其温度变化率与偏置电流和MOS管的宽长
到的栅源电压温度变化率为2．13
结合体硅加工技术制作红外探测
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