一种集中补偿的IGZO+AM-OLED像素电路.pdfVIP

AM．OLED像素电路 一种集中补偿的IGZO 冷传利张盛东 北京大学深圳研究生院 广东深圳 518055 摘要：本文提出了一种新型的四管单元AM．OLEO像素电路。此电路采用新的阈值电压提取方法和 集中补偿的方式，不仅可以有效补偿薄膜晶体管(T盯)阈值电压正向及负向漂移带来的问题，而且可以 有效简化像素结构和面板外围电路。另外，本方案可以通过将面板像索分组的方式增加OLED的发光时间， 从而在高分辨率或高帧频显示中有很好的皮用。 关健词i AM-OLEO像素电路IGZO-TFT集中补偿 IGZO T盯S中出现的负阈值情况也有很好的补 1引言 偿效果。 非晶硅(a．Si)和多晶硅(Poly-Si)TFB 2四管单元电路 是AM．OLEO显示中的主流技术。a-Si计Ts在均 匀性，关态电流，低成本等方面都具有优势， 图1所示即为四管单元的像素电路和相 TI 关时序图。电路由一个驱动管(T1)，三个开 但是a-SiTs的闽值电压(vTH)极不稳定，长 期偏置状态下会发生严重漂移【1l。相比于 TFTs的VTH相对稳定，且迁移率高， a-S-，Poly-Si TFB在像素 可以提供互补的器件【2】。但Poly-Si Vzef、，1DD 间VTH和迁移率都会存在差异，会造成显示的 不均匀，而且Poly-SiTFrs的制作成本高，尤其 在大面积显示中还存在诸多不足。近几年发 展起来的IGZO-TFTs其迁移率介于a-Si和PoIy-S． V 之间，VTH稳定性也较a-Si好，且IGZC)-TFTs的均 匀性与成本都与a-Si丁FTs很接近【3】，在 AM．OLED驱动电路中显示出巨大优势。因此越 来越受到人们的关注。 研究发现IGZO-TFT在长期偏置下VTH还是 会有漂移，因此在构成像素电路时仍需要提 供补偿机制。目前为了解决TFTS的V州漂移带 来的问题，出现了很多提供补偿的像素电路 【4】【5】【6】。这些电路一般的操作步骤是预充 电，VTH提取，电流调整和驱动四步【7】。这个 过程需要复杂的时序控制【81和相应的外围电 路。本文提出了一种基予IGZOTm的四管单元 像素电路。与传统像素电路的逐行补偿并写 C囊■■ 一 ’ 入数据的方法不同，本方案在帧初始阶段先 一 l I IIM 对整个面板的所有像素进行阈值提取，然后 f o嘲。删． 再逐行写入图像数据。这样做既可以减少行 驱动电路的数目，实现低成本，又可以有充 分的时间进行阑值提取。另外这种方案对于 伊 基金项目。深圳市重点实验室提升 (cxB201∞S2锄SA，o饵2∞9∞Ⅸm42A) zhan黟d固szpIcu．edu．crl 326 (b)