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性能优异的多功能宽禁带半导体AlN 薄膜 黄继颇 ,王连卫 ,林成鲁 中国科学院上海冶金所 ,信息功能材料国家重点实验室 ,上海 200050 ( ) ( ) 摘 　要 : 　作为具有优异介电性 、压电性的宽禁带半导体材料 , 积 PLD 和离子束辅助沉积 IBAD 都曾被人们用于 AlN 薄膜的 AlN 是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝 生长 ,其中溅射和 PLD 是较成熟和常用的两种方法 , 已能在硅、 光紫外发