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衬底温度对磁控溅射制备外延ZnO薄膜结构特性的影响.pdf
: ZnO 735
*
ZnO
1 2 1 1 3 1
周 阳, 仇满德 , 赵庆勋 , 李晓红, 彭英才 , 刘保亭
( 1. , 071002; 2. , 071002;
3. , 071002)
: 在不同的衬底温度下, 采用磁控溅 方法在 550 ( 0001) ZnO ,
蓝宝石( 0001) 衬底上制备了外延生长的ZnO 薄膜 ,
[ 5]
采用原子力显微镜( AFM) X 线衍 仪( XRD) 可 Liu
见紫外分光光度计系统研究了衬底温度对ZnO 薄膜 ( 000 1)
微观结构和光学特性的影响AFM 结果表明在不同 ZnO , ZnO (
衬底温度制备的ZnO 薄膜具有较为均匀的ZnO 晶粒, )
[ 6]
且晶粒的尺寸随衬底温度的增加逐渐增大XRD 结 Suvorova
果显示不同温度生长的 ZnO 薄膜均为外延生长, ( 000 1) ZnO ,
400 生长的薄膜具有最好的结晶质量; 光学透 谱显
示在370nm 附近均出现一 个较陡的吸收边, 表明制备 ,
的ZnO 薄膜具有较高的质量, 其光学能带隙随着衬底 ,
温度的增加而减小 ( T s ) ( 0001)
: ZnO ; ; ; ZnO
: O484. 4 : A ,
: 2009) ( 000 1) ZnO X
( XRD) ( SPM)
1
ZnO , ,
GaNZnS , ZnO
2
, 60m V,
, 60mm , 5mm ZnO
, ZnO , ( 99. 9%) , ( 0001)
, , , 10min,
ZnO ,
45mm4 10- 4 Pa ,
[ 1~ 3]
,
ZnO , 25 75ml/ min,
[ 4~ 6] [ 7]
( PLD) 2Pa50W, 20min
( M BE) [ 8] , ZnO
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