脉冲电弧离子源镀膜均匀性的研究.pdfVIP

( 2 2 l 4) 脉冲电弧离子源镀膜均匀性的研究 * 蔡长龙 王季梅 西安交通大学( 710049) 杭凌侠 严一心 徐均琪 西安工业学院( 710032) 镀膜均匀性是脉冲真空电弧离子源应用需要解决的一个重要问题。本文首 分析了在脉冲真 空电弧离子镀膜过程中, 采用不同阴极尺寸、不同辅助阳极尺寸引起所镀膜层透过率曲线的改变, 进而讨论了 脉冲真空电弧离子源电极几何尺寸对膜厚均匀性的影响。在基片下加一个圆筒形负电位电极, 实现了脉冲真 空电弧离子源镀膜的均匀性。实验结果表明, 采用这一技术, 在Ê70 mm 范围内, 基片透过率的相对变化可达 到? 6. 8% 范围内。 : : O 531 Study on the Deposition Uniformity of Pulsed Arc I