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中频交流磁控溅射制备AZO薄膜及退火工艺.pdf
第26卷第8期 电 子 元 件 与 材 料 Vbl．26No．8
ANDMATERIALS
2007年8月 ELECTRoNICCOMPONENTS Aug．2007
中频交流磁控溅射制备AZO薄膜及退火工艺
齐玉明1，梅 冰2，杨光2
32022；2宏光纳米科技(深圳)有限公司，广东深圳518129)
(1．吉林化工学院物理系，吉林吉林1
摘要：以锌铝合金为靶材，采用工业生产设备，用中频交流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了铝掺杂氧化锌(AzO)
透明导电薄膜，研究了氩氧比、退火温度、退火时间对薄膜结构、光学和电学性能的影响。结果表明，氢气和氧气体
积流量比为3：1时常温下得到薄膜的方阻值最低，400℃真空退火1h后薄膜可见光平均透过率由84．o％上升到86．7％，
方阻值由5000fv口下降到108fv口。
关键词：无机非金属材料；中频磁控溅射；Az0薄膜；退火
中图分类号：TN304．2文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2007)08．0062．03
thin
Anneal andthe ofAZOfilms by
techniqueprocess prepared
alternatiVe
magnetrOnsputtering
middle—f}equency
QI1砸-min91，MEIBin旷，YANGGuang二
InstitIlteofChemical
(1．PhysicalDepartment，Jilin T色chnology，Jilin130022，JilinPrDvince，Cbjna；2．Precis
LiInited 5l8 ProVince，China)
NaIlotechnologyC唧oration，Shenzhen129，Guangdong
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