p-型Bi-Sb-Te-Se温差电薄膜材料的电化学制备及其性能.pdfVIP

天津人学2011年博士论坛化工分论坛论文集 p．型Bi．Sb-Te．Se温差电薄膜材料的电化学制备及性能 朱艳兵，王为· (天津大学化工学院，天津300072) 摘要：采用电化学控电位沉积的方法，在镍基体上制备了Bi—Sb-Te。Se温差电材料薄膜。为了提高其结晶度 的结构、形貌和组成进行了研究，并测试了在不同电位下制备的Bi—Sb-Te．Se薄膜的温差电性能。研究结果 共沉积，电沉积的B．-sb．Te．se薄膜的掺杂浓度对沉积电位敏感。采用控电位电沉积制备的温差电材料能达 到的最大功率冈子为0．48 mW／(K2．m)，对应的薄膜材料组成为Bio．37Sbl．彀Te2瑚Seo．19。 关键词：电沉积；温差电薄膜；Bi．Sb-Te．Se：结构；性能 中图分类号：TQl74 文献标识码：A 文中编号： Thermoelectricalof Bi·-Sb··Te·-Se propertiesP-·type mate