Al-AlN太阳能选择性吸收涂层的中频溅射工艺研究.pdfVIP

第32卷第12期 太阳能学报 V01．32，No．12 2011年12月 ACTAENERGIAESOLARlSSINICA Dec．，2011 文章编号：0254-0096(2011)12—1753-05 AI-AIN太阳能选择性吸收涂层的 中频溅射工艺研究 付志强1，王成彪1，岳 文1，彭志坚1，郭文利2，梁彤翔2 (1．中国地质大学(北京)工程技术学院，北京100083； 2．清华大学核能与新能源技术研究院精细陶瓷北京市重点实验室，北京100084) 摘要：探讨了A1N膜和渐变A1-A1N选择1m『J乏【『t涂层的中频溅射技术，结果表明：增大铝靶电流或减小氩气流量 L流量的增加，A1N膜的N／A1原子比增大，减小氩气流量或增大 有助于改善A1N反应溅射的工艺稳定性；随瞢氨7 铝靶电流对制备满足理想化学计量比的AI、『J艇介利；A1N膜的致密性随氮气流量和铝靶电流的增大而改善，但氩 气流量对A1N致密性没有明显影响；制备的渐变AI．A1N选择性吸收涂层可见光反射率低于6％。光谱选择性较 好。 关键词：A1．A1N；选择性吸收涂层；中频反应溅射；工艺参数 中图分类号：TB43 文献标识码：A 本研究首先探讨了靶电流、氮气流量和氩气流 0 引 言 量对铝靶放电特性和制备的A1一A1N复合膜(以下简 选择性吸收涂层可以提高太阳光一热转化装置 称A1N膜)的影响，在此基础上利用中频反应溅射技 的集热温度和光一热转化效率，是太阳能热利用的一 术制备了渐变A1一AIN选择性吸收涂层。 项关键技术…。目前常用的渐变金属一介质选择性 吸收涂层的制备方法以直流反应溅射为主旧3j，在镀 1 实验方法 膜过程中容易出现打火、阳极消失等现象H』，导致镀 膜工艺不稳定、膜层质量受影响，因此，有必要进一 步改善选择性吸收涂层的工艺稳定性。中频溅射是 料为单晶硅片Si(100)，镀膜前经过严格的超声清 最近发展起来的新型磁控溅射技术，可有效解决反 洗、烘干和氩离子刻蚀处理。沉积条件为：本底真空 应磁控溅射过程的打火、阳极消失等问题∞1，在改善 金属一介质选择性吸收涂层工艺稳定性方面比直流 溅射更具优势，但目前这方面的研究还鲜见报道。 偏压一100V，工件架采用行星式旋转。 我国真空集热管常用的选择性吸收涂层材料为 渐变AI—N／A1选择性吸收涂层，目前已获得广泛应 MKII多功 A1一A1N复合膜表面形貌。利用ESCALAB 用MJ。研制新型制备技术，显著改善渐变A1．N／A1 能电子能谱仪分析A1一A1N复合膜组成。采用PHI一 选择性吸收涂层性能和工艺稳定性对发展我国的太 700型纳米扫描俄歇系统研究涂层的成分深度分布， 阳能热利用技术具有重要价值。此外，A1N膜在微 电子、光学、机械等方面具有广泛的应用前景¨J，开 发稳定的A1N膜制备技术对AIN在其他领域的应用分光光度计测量A1．AIN选择性吸收涂层的漫反射 也很有必要。 率，测量时试样直接与积分球接触，入射角为8。。 收稿日期：2009-12-07 专项资金(2010ZY36)；清华大学实验室开放基金(L 通讯作者：付志强(1970一)，男，博士、副教授，主要从事功能薄膜制备及应用技术方面的研究。fuzq@cugb．edu．ca 万方数据 太 阳 能 学 报 对应于金属溅射，放电状态稳定，沉积速率大，但由 2结果