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ALD淀积温度对HfO2高k栅介质材料特性的影响.pdf
2012年4月 西安电子科技大学学报(自然科学版) Apr．2012
第39卷第2期 JOURNAL0FXIDIAN V01．39N0．2
UNIVERSITY
doi：10．3969／j．issn．1001—2400．2012．02．027
ALD淀积温度对Hf02高k栅介质材料特性的影响
匡潜玮，刘红侠，樊继斌，马 飞，张言雷
(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室。陕西西安710071)
摘要：采用原子层淀积方法，在不同生长温度下制备了HfO。高k栅介质薄膜，研究了生长温度对Hfoz
薄膜特性的影响．实验结果表明，Hfoz薄膜的生长速率受生长温度的影响很大，在高温区将随着温度的上
升而增大，而在低温区将随着温度的降低而增大．通过分析HfO。薄膜的C_V特性发现，不同生长温度下
淀积的Hfoz薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别，过高和过低的生长温度都将增加Hf0：薄
膜中的原生缺陷，其中。280℃～310℃区间生长的HfO。薄膜中的缺陷最少．
关键词：高k栅介质；二氧化铪；原子层淀积；生长温度；氧化层缺陷
中图分类号：TN304文献标识码：A 文章编号：1001—2400(2012)02-0164一04
oftheinfluenceof on
Investigation depositiontemperature
ALD Hf02 k material
depositehighgate
KUANG Yanlei
Qianwei．LlU Jiwu．MAFet．ZHANG
Hongxia．FAN
ofEducationLab．ofWide SemiconductorMaterials
(Ministry Key Band—Gap
andDevices，XidianUniv．，Xi’an
710071。China)
Abstract： kdielectricfilmsare on theatomic at
Hf02high depositedSi(100)by Iayerdepositiontechnique
different theinfluencesof onthecharacteristicof are
temperatures，and depositiontemperature HfOz
resultsshowthat of is influencedthe
the rate Hf02
investigated．Experimentaldeposition seriously by
willbe increasedwiththeincreased inthe
depositiontemperature，whichrapidly depositiontemperature
orthedecreased int
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