AlN-TiB2复相导电陶瓷的制备及性能研究.pdfVIP

AlN-TiB 复相导电陶瓷的制备及性能研究 2 Preparation and properties study of AlN-TiB composite conductive ceramic 2 王红霞 赵 辉 ， WANG Hong-xia, ZHAO Hui 郑州职业技术学院 郑州450121 （ ， ） 摘 要：以微米AlN、微米TiB 以及纳米SiC为主要原料，以微米Y o 和微米Al o 为添加剂，采用真空 2 2 3 2 3 N 气氛保护热压烧结工艺制备了AlN-TiB 复相导电陶瓷材料。测试和分析了烧结样品的相对 2 2 密度、弯曲强度、硬度值以及导电性能。结果表明，当微米AlN添加量为55wt%，微米TiB2 为20wt%，纳米SiC为20wt%，微米Y o 为3wt%以及微米Al o 为2wt%时，且烧结温度为 2 3 2 3 1880℃时，所制备的AlN-TiB2复相导电陶瓷材料性能最佳，其相对密度为94.45%，弯曲强度 . 为512.35MPa，洛氏硬度为104.25，电阻率值为1526μΩ cm。 关键词：微米AlN；热压烧结；力学性能；导电性能；固溶强化 中图分类号：TP211 文献标识码：A 文章编号：1009-0134(2015)02(上)-0137-04 Doi：10.3969/j.issn.1009-0134.2015.02(上).38 0 引言 1 实验 随着电子工业在世界范围的发展 电子印刷电路 实验采用的原料包括1~3 m左右的AlN粉 1 m左 ， μ ， μ 板已成为一种不可或缺的电子部件 自20世纪90年代 右的TiB 粉 纳米SiC粉 1 m左右的Y O 粉以及2 m 。 2 ， ， μ 2 3 μ 以来 世界各国已逐渐将印刷电路板改称为电子基板 左右的Al O 粉 各粉料的纯度均为化学纯 根据相图 ， 2 3 ， 。 electronic substrate 标志着传统的印刷电路板已 进行了配方设计 所设计的配方组成如表1所示 其 （ ）， ， ， 进入了多层基板时代[1～3] 电路基板 按电路基板所采 中微米TiB 粉添加量和纳米SiC粉添加量按照1:1的比 。 ， 2 用的材料 可分为无机基板材料 有机基板材料以及 例进行添加波动 采用真空N 气氛保护热压烧结工艺 ，