Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性.pdfVIP

董茂进等：Au和Ni掺杂rl型硅材料的制备及其热敏特性 Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性+ 董茂进1’2，陈朝阳1，范艳伟1，丛秀云1，王军华1，陶明德1 摘 要： 为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料，采用 待用。取氯化镍和氯金酸溶液按3：1的比例混合，滴 开管涂源的方法，对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡到清洗干净的硅片表面，待其均匀分布于表面，用红外 族金属的双重高温掺杂，得到对温度敏感的补偿硅材 灯烘干。 料，并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热 2．3开管扩散 敏材料，其导电类型仍为n型，且电阻率较低，为欠补 设定恒温时间为3h，进行杂质的高温扩散，然后取出 偿，测试结果表明其常温电阻率＆。一64～416tl·cm， 硅片快速冷却。 温度敏感系数(B值)在5300K左右；根据半导体中深 能级杂质理论推导计算得到的材料的B值，与实验值 2．4打磨、镀电极、封装、测试 基本一致。 为使材料体电阻率呈均匀分布，将硅片表面层杂 关键词： 双重掺杂；深能级杂质；Au；Ni；热敏特性 质浓度比较大的部分用50目碳化硼磨掉(约 中图分类号：TN304 文献标识码：A 20弘m)嘲，重复2．2清洗步骤；然后镀镍、划片、焊电 极、封装，进行测试。 文章编号：100l一973l(2009)01—0037—03 1 引 言 3结果与讨论 掺有深能级杂质的补偿硅单晶材料，其电阻率对 3．1金和镍在硅片中的高温扩散 温度具有较强的敏感特性。硅中掺人金、锰、锌等单一 由于过渡族金属在硅单晶中对电导的补偿作用， 元素，形成深能级杂质，控制不同的扩散温度、时间、源 扩散后硅片的电阻率将随扩入量的增加而增加，而补 的浓度，得到不同补偿度的热敏材料，这在文献中已有 偿硅材料中杂质浓度受固溶度和扩散系数限制，故所 报道[1~6]。由于补偿硅材料的B值主要由深能级杂质得到的材料均为轻度掺杂。在高温热扩散的过程中当 的能级位置决定，而且在相同B值条件下这种材料的 杂质的浓度足够大时，将在硅表面很薄的1层中达到 电阻率要比氧化物热敏材料的电阻率小得多，因此通 该扩散温度下的固溶度，就会产生恒定表面浓度的扩 过选择适当的杂质掺杂，有可能得到具有高B值低阻 散。而固溶度与温度有关，随扩散温度的增加而增加。 值的NTC热敏材料。 温度越高，则其固溶度越大，扩散进入硅中的杂质越 本文主要讨论在n型硅单晶中进行多重过渡族元 多[7]，故扩散后的电阻率大小可以间接反应了扩散浓 素的共同掺杂，选用镍和金两种元素，按照一定比例混 度的大小‘8|。 合，对硅材料进行高温扩散，利用不同元素在硅中形成 镍在硅中是一种快扩散，低溶解度的过渡金属[9]， 具有相互补充作用的能级，以制备高B低阻，一致性比 其在硅中以填隙式扩散为主，少数处于替位位置的镍 较好的硅单晶热敏材料。 原子在硅中电离，而大部分的填隙式镍在n型硅中呈 电中性，温度升高电离才比较明显。对于缺陷比较少 2 实 验 的硅单晶，金的浓度在硅材料中近于饱和状态的金扩 2．1材料和扩散源 散，晶格的替位行为起控制作用[10|，金原子以替位金 实验材料：n型单晶硅片晶向[111]，电阻率为112的方式最终均匀分布在硅片中。 ‘cm o 单一掺杂金所得材料电阻率较大，一致性较好，B 扩散源：以一定量的分