Ca2SiO4Dy3+材料的制备及其发光特性.pdfVIP

第57卷第7期2008年7月 物 理学报 V01．57．No．7，July，2008 SINICA 1000．3290，2008，57(07)，4575．05 ACTAPHYSICA @20()8 chin．PIIys．S0c． Ca2Si04：Dy3+材料的制备及其发光特性* 王志军1’+ 李盼来1’ 王 刚2’ 杨志平1’ 郭庆林1’ 1)(河北大学物理科学与技术学院，保定ar71002) 2)(河北大学国际交流与教育学院，保定071002) (2007年lO月26日收到；20∞年12月5【I收到修改稿) 采用高温固相法制备了ca2si04：Dy¨发光材料．在365nm紫外光激发下，测得ca2Si04：Dy3+材料的发射光谱为 nm和665nm处；监测575 一多峰宽谱，主峰分别位于486姗，575 nm发射峰，测得材料的激发光谱为一多峰宽谱，主 nm，37lm，39r7nm，435nm，46lnm和478 峰分别位于331姗，36l nm处．研究了Dy3+掺杂浓度对ca2s．04：Dy“材料发 射光谱及发光强度的影响，结果显示，随脚”浓度的增大，黄、蓝发射峰强度比(Y／B)逐渐增大，利用Judd．0fell理论 mol％时到达峰值，而后减 解释了其原因；随Dy“浓度的增大，ca2si04：D广+材料发光强度先增大，在Dy“浓度为4 小，根据Dexter理论其浓度猝灭机理为电偶极一电偶极相互作用．研究了电荷补偿剂“+，Na+和K+对ca2si04：Dy“ 材料发射光谱的影响，结果显示，不同电荷补偿剂下，随电荷补偿剂掺杂浓度的增大，ca2Si04：Dy3+材料发射光谱强 度的演化趋势相同，即Ca2Si04：Dy“材料发射峰强度先增大后减小，但不同电荷补偿剂下，材料发射峰强度最大处 mol％和3mol％． 对应的补偿剂浓度不同，对应“+，Na+和K+时，浓度分别为4mol％，4 关键词：白光LED，Ca2Si04：Dy3+，发光特性，电荷补偿 PACC：7855 才能获得较好的白光发射，造成材料的适用范围较 1．引 言 窄．为解决上述问题，本工作组以Dy¨作为激活剂， 以ca2si04为基质，制备了一种通过改变激活剂浓度 1997年，日本日亚化学公司用蓝光GaN管芯抽 即可获得蓝色光、黄色光及白光发射的Ca2Si04： 运YAG：ce3+黄色荧光粉，研发出了白光LED(1igllt Dv3+材料，研究结果为白光LED的发展提供了参考 eIIlittingdiode)，自此，白光LED用荧光材料成为功能 和帮助． 材料新的研究热点．总体而言，白光LED用荧光材 料可分为三类：被蓝色GaN管芯激发发射黄光的荧 2．实 验 光材料，如YAG：Ce3+…，sr3SiOs：Eu2“2’等材料；被 近紫外(370—410nm)InGaN管芯激发发射红、绿、蓝 采用高温固相反应方法在空气中制备样品．原料 光的三基色荧光材料，如CaM004：Eu3“引，Ba2Si04：