CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究.pdfVIP

下载本文档

6
0
约1.71万字
约 6页
2015-08-31 发布于湖北
举报
版权申诉

CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究.pdf

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究.pdf

No．。1- 戛黼：铲 Jour浙nal。f江Zhejia大ngun学iversit学y{Eng报inee‘r工ing学S贬cie) VoN。v1．3瑚9 谢莲革1，沃银花1，汪建勋1，沈鸽1，翁文剑1，，刘起英2，韩高荣1 貌、成分等进行了表征，XRD结果表明在基板温度为665℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜，XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb针离子形式存在．讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响，结果表明，当Sb掺杂量为2％时取得最小方块电阻为7．8a／口，在可见光区薄膜的透射率和反射率随着sb掺杂量的增加呈下降趋势．最后探讨了Sb掺杂SnO：薄膜的显色特性，认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因．关键词：化学气相沉积(CVD)；Sb掺杂SnOz薄膜；掺杂量中图分类号：TB43；TB34 文献标识码：A Structureand of films Sn02 propertiesSb_-doped preparedby chemical method vapordeposition XIE Yin—hual，WANGJian—xunl，SHENGel，WENG Lian—gel，AO Wen-jianl， LIU AN Qi—yin92，HGao～ron91 (1．State Silicon 310027，China； Laboratory Materials，ZhejiangUniversity，Hangzhou Key of NewMaterials 310013，China) 2．ZhoiangUniversityLanxing Co．Ltd，Hangzhou tin chemical oxide，ATO)were Abstract：Sb-dopedSn02films(antimony-doped preparedby vapordeposi— to theeffectof amountonthestructureand oftheATO tion(CVD)method analyze dopant properties ofthefilms meansof dif— films．The and werecharacterized structure，morphologycomposition by X-ray electron X-rayphotoemission fraction(XRD)，scanningmicroscopy(SEM)and that were atthesu