Cu3N薄膜的制备及其霍尔效应研究.pdfVIP

! 第# 卷 第# 期! ! ! ! ! ! ! ! ! 人! 工! 晶! 体! 学! 报! ! ! ! ! ! ! ! $%’ #! (%’ # ! )**+ 年,* 月! ! ! ! ! ! ! ! ! -./0(12 .3 45(67869: :0546124 ! ! ! ! ! ! ! ! ! .;%=? ，)**+ ! !# $ 薄膜的制备及其霍尔效应研究 ,，) , , , , , 王明旭 ，岳光辉 ，范晓彦 ，闫! 德 ，闫鹏勋 ，杨! 强 （,’ 兰州大学等离子体与金属材料研究所，兰州@**** ；) ’ 兰州工业高等专科学校，兰州@**#* ） 摘要：采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为,)A;;B 、衬底温度为,**C 的条件下，在玻璃基底 上成功制备了氮化铜（:D ( ）薄膜。E0F 显示薄膜择优［,** ］晶向生长。用扫描电子显微镜（48G ）和原子力显微 镜（13G ）观察了样品的表面形貌，发现样品表面平整、结构紧密。用四探针法检测了薄膜的霍尔特性，发现随温度 的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加。霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势，但是变化的范围比较小，在 低温范围又有所增加。随温度的降低薄膜的载流子浓度降低。我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的 禁带宽度约为,’ #$ 。 E0F ；48G ；13G ；霍尔效应 关键词：氮化铜薄膜； 中图分类号： 6HII ! ! 文献标识码：1 ! ! 文章编号：,***JKL#E（)**+ ）*#J,,*LJ*# %’()*+,-*+.) . /0(1-0-*+. -2 *3( 4-55 677(8* .7 *3( ! $ 93+ :+5;) # ,，) , , , , , !#$ %’()*+ ，,-. $+/’()0+ ，1# 2/3)4/’ ，,# 56 ，,# 76’()*+’ ，,#$ 8/’( （,’ 9MAND O%? PQABQ QMR GQ GQ?NQA ，2QMST%D /MNU?ANV ，2QMST%D @**** ，:TNMQ ； ) ’ 2QMST%D P%V;TMN;Q :%W ，2QMST%D @**#* ，:TNMQ ） （96:6;6 ) 16=+/4 )**+ ） =)*0-8* ：:D ( TNM ONB XQA Y?YQ?R =V ?Q;NU ?QRN%JO?ZDM;V （03 ）BQWM?%M AYD?NMW %M WQAA AD=A?Q XNT T AD=A?Q BY?QD? %O ,** C ，QMR T YD? () O%X ?Q %O ,)A;;B’ E0F YQ?M AT%XR Q Y?O??R ［,** ］%?NMQN%M %O T ONB’ 48G QMR 13G NBQWA AT%XR