h-BN对SiC-YAG-BN复相陶瓷烧结性能的影响.pdfVIP

第37卷 增刊2 稀有金属材料与工程 V01．37，Suppl．2 2008年 5月 RAREMETALMATERIAI，SANDENGⅡ娓ER心G May2008 郭兴忠1，一，杨 辉1，一，马 奇1，李海淼1，傅培鑫3，高黎华3，李志强3 (1．浙江大学，浙江杭州310027) (2．浙江大学绿色建材与应用技术工程研究中心，浙江杭州310027) (3．浙江东新密封有限公司，浙江乐清325604) 分析h-BN的引入对复相陶瓷的致密程度、物相组成、断面形貌的影响。结果表明，随着h-BN的引入，复相陶瓷致密 构形成支架结构，阻碍复相陶瓷收缩致密，但是能产生裂纹偏转、裂纹消耗及微裂纹等增韧机制。 关键词：碳化硅；复相陶瓷；氮化硼 中图法分类号：TG174．75+8．22 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2008)$2．565—03 瓷在断裂时可能会出现微裂纹、裂纹偏转和残余应力 1 引 言 场等增韧机制，进而改善陶瓷的断裂韧性，所以 近年来，多相复合陶瓷以其优良的性能吸引诸多 研究者的关注【lJ，其中非氧化物陶瓷材料的发展尤其 陶瓷的制备工艺主要有热压烧结【17】，反应烧结【18】，原 引人注目。碳化硅及其复合材料由于其优越的高温力 位合成法【19】和先驱体法[2们，但是这些方法在工业化生 学性能、高热导率、低熟膨胀系数、良好的热冲击性 产复相陶瓷过程中难以推广应用。本研究拟在SiC陶 及密度小，被广泛应用于许多极端条件下【2】。碳化硅 瓷中引入第二相h-BN，以YAG为烧结助剂，通过无 由于是强共价键结合，烧结时质点扩散速率很低，其 压烧结制备复相陶瓷，考察第二相的含量对SiC陶瓷 晶界能()，曲)和表面能(帕，)之比很高，不易获得足密度和微观结构的影响。 够的能量形成晶界，因此很难采取离子键结合材料(如 2实验 A1203、MgO等)所通常采用常压烧结途径来制备高 致密化材料，必须采用一些特殊工艺手段或者依靠第 实验原料有SiC粉体、h—BN粉体，烧结助剂、粘 二相物质帮助，促进其烧结。常用无压烧结助剂有 结剂、分散剂，球磨溶剂介质为去离子水，机械球磨 混料6h，粉体干燥后筛分备用。其中烧结助剂YAG B．Ct31、B4C．C[4I、A1203[5．61、A1203．Y203【7】、Y3A15012[8～10】 的含量保持不变而改变BN的含量分别为0％、5％、 (YAG)和AIN．Y203【11】等，从烧结机理上又分固相烧 结和液相烧结。其中相液相烧结制备碳化硅陶瓷由于 具有烧结温度低、陶瓷具有较高的抗压和抗弯强度， 在156MPa压力下干压成型，再进行250MPa冷等静 成为碳化硅烧结技术研究的重点。 压处理最终成形。陶瓷的烧结是在真空无压烧结炉中， 六方氮化硼(h．BN)具有类似石墨的层状结构、升温至1950℃烧结而成。 低的热膨胀系数，高的热导率和优良的抗热震性【12】， 采用阿基米得排水法测量烧结体的体积密度，采 将h．BN引入导其他陶瓷材料可以提高它们的抗热震 用XJl0．60型X射线衍射仪进行烧结体的物相分析， 性能，并能改善材料的断裂应变【”o61。由于SiC和工作电压35kV，工作电流15mA，辐射源Cu靶，扫 h．BN的热膨胀系数和弹性模量有所差别，因此材料在 描速度40／min，步宽0．020；通过HITACHIS．570扫描 从烧结温度降低至室温时，会在两相的颗粒之间产生 电镜观察烧结体的断面形貌。 微观应力或者应力导致在