HfO2TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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HfO2TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究.pdf

ofD同evice咿j|■‘ 器Manuf件aetmin制g雹ad造Appl与icatio应n doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2010．12．002 MOS器件制备及电性能研究 Hf02／TaON叠层栅介质Ge 张雪锋l，2，季红兵1，邱云贞1，王志亮1，徐静平2 (1．南通大学电子信息学院，江苏南通226019； 2．华中科技大学电子科学与技术系，武汉430074) 摘要：为提高高k／Ge MOS器件的界面质量，减小等效氧化物厚度(EOT)，在high—k介质现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为GeMOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k／Ge界面质量有着重要的意义。关键词：锗基P沟场金属一氧化物一半导体场效应晶体管；氮氧钽铪界面层；高介电常数介质；散射；迁移率 149—04 中图分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：1003—353X(2010)12—1 Fabricationand Electrical of on Investigation Properties GeMOSDeviceswith GateStack Hf02／TaON ZhangXuefen91一，JiHongbin91，QiuYunzhenl，Wang Zhilian91，XuJingpingr2 (I．School 22601 ofElectronicInformation，Nantong9，China；2．Departmento， University，Nantong Elearonic Scienceand 430074，China) Science＆Technology，HuazhongUniversityof Technology，Wuhan Abstract：Inorderto the ofinterfaceandreducethe oxide thickness(EOT) improvequality equivalent of MOSdevices。aultrathinTaON wasintroducedbetween dielectricandGe． high．k／Ge interlayer high．k withthe withouttheTaON GeMOSFETswith stacksshow Compared samples Hf02／TaON interlayer，the gate some asthelowinterfacestate currentandexcellent