HfTiO高κ栅介质Ge MOS电容特性研究.pdfVIP

第28卷 第2期 固体电子学研究与进展 V01．28。No．2 2008年6月 OFSSE Jun．，2008 RESEARCHPROGRESS HfTiO高Jf(栅介质GeMOS电容特性研究’ 邹 晓r 徐静平2 (1江汉大学机电与建筑工程学院，武汉，430056)(2华中科技大学电子科学与技术系，武汉，430074) 2007一07一04收稿，2007一09—10收改稿 摘要：采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚一nm等效氧化物厚度(EOT)的HfTiO高x栅介质薄膜，研 究了湿N：和干Nz气氛退火对GeMOS电容电特性的影响。隧穿电子显微镜、椭偏仪、X射线光电子频谱、原子力显 微镜以及电特性的测量结果分别表明，与干N：退火比较，湿N：退火能明显抑制不稳定的低ⅣGe0；界面层的生长， 从而减小栅介质厚度，降低栅介质表面粗糙度，有效提高介电常数，改善界面质量和栅极漏电流特性，这都归因于 GeO：的易水解性。还研究了Ti靶溅射功率对HfTiO栅介质GeMOS器件性能的影响。 关键词：锗金属氧化物半导体；氧化钛铪；湿氮气退火；界面层 中图分类号：TN305．5；TN386．1文献标识码：A 文章编号：looO一3819(2008)02一198一05 onCharacteristicsGe withHfTiO of MOS Study Capacitor Dielectric Hi曲，(Gate ZOUXia01XU Jingpin92 (2 q厂 DP户口坨mP，zt口厂E如ffrD恕站SciP升ce了■c．il挖oZDgy，H“口zJIlo挖gU，l而P邝i￡y Sci已咒c已口咒d’丁_c^咒D正D量y，H，“^口规，430074，CHⅣ) methodfor ofsub—nm oxidethickness Abstract：ReactiVe co—sputtering growth equiValent effects or (EOT)HfTi0dielectriconGesubstrateandthe ofwet highⅣgate dryN2annealing ondielect“c are transmission—electron performances analyzed．Measuringby microscopy， force andelectrical ellipsometry，X—rayphotoelectronspectroscopy，atomicmicroscopy properties indicatethat，as to wet can the