Hg1-xCdxTe在高压下的结构、状态方程与相变.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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第卷第期高压物理学报， 14 4 Vol . 14 No .4 年月， 2000 12 CHINESE JOURNAL OF HIGH pRESSURE pHYSICS Dec . 2000 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 文章编号：（） 1000-5773 2000 04-0298-04 Hgl - ! Cd! Te 在高压下的结构、状态方程与相变， 1 1 2 1 3 顾惠成，陈良辰，褚君浩，鲍忠兴 4 4 4 刘克岳，王金义，郑康立（中国科学院物理研究所，北京； 1. 100080 2 . 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083； 3 . 中国科学院国际材料物理中心，辽宁沈阳 110015； 4 . 华北光电研究所，北京 100015）摘要：利用射线粉末衍射方法，在室温高压下观察到了（）的相变。实 X Hg Cd Te ! = 0 . 19 1 - ! ! 验是在高压装置上完成的，压力从逐步加至。在常温常压下（） DAC 0 10 . 1Gpa Hg Cd Te ! = 0 . 19 1 - ! ! 具有闪锌矿结构。从实验结果看到，在压力为3Gpa 和6 .8 ~ 8 .3Gpa 之间有两个结构相变存在。初步认为，后一个相变与（）的金属化有密切关系。通过计算，得到了它在相变前 Hg Cd Te ! = 0 . 19 1 - ! ! 的状态方程，并且与二元HgTe 化合物在相变规律上进行了比较。关键词：晶体结构；状态方程；相变；射线衍射 X 中图分类号： + 文献标识码： O521 .2 A l 引言 HgCdTe 晶体是一种 - 族三元化合物半导体，常温常压下具有闪锌矿结构。它是一种