In2O3CdO复合材料的制备及气敏特性.pdfVIP

Huaxue 物理化学学报(Wuli Xuebao) June Acta 1539 Phys．一a妇．胁．2012，28(6)，1539-1544 【Article】 doi：10．3866／PKU，WHXB201204101 In：OJCdO复合材料的制备及气敏特性 陈鹏鹏1 王兢。’ 姚朋军。2 杜海英t3 李晓干1 (1大连理工大学电子科学与技术学院，大连116023；2沈阳师范大学教育技术学院，沈阳110000； 3大连民族学院机电信息工程学院，大连116600) 摘要：采用水热合成方法制备了花状In：03纳米材料．利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散X射 线光谱(EDX)及透射电镜(TEM)对材料的结晶学特性及微结构进行了表征．制备的In20。材料呈现花状，是由粒 径约20nm的椭球状小颗粒构成的分级结构材料．将制备的Inz03与纳米CdO以摩尔比1：1混合后，发现制成 的ln20a，CdO复合材料经热处理后呈现葡萄状多孔结构．测试In：03／CdO复合材料制作的气敏元件处于最佳工 合材料制作的气敏元件对不同浓度甲醛的灵敏度明显优于纯花状In：O。纳米材料．同时In203／CdO复合材料制 作的气敏元件在乙醇、甲苯、丙酮、甲醇以及氨气等干扰气体中具有对甲醛良好的选择性．讨论了In20抓ⅪO复 合材料气敏元件的敏感机理． 关键词：复合材料：气敏元件： 甲醛气体：纳米材料：多孔结构 中图分类号：0649．4 Gas of and In203／CdO SynthesisSensitivity Composite CHEN WANG YAO DU r3 LIXiao—Ganl Peng—Peng’ Jin91’ Peng—Junl2Hal-Yin91 (1School Scienceand Province,P尼China； ofElectronic Technology,DalianUniversityofTechnology,Dalian116023，Liaoning 2School Normal Technology,ShenyangUniversiO,,Skn炉鸭110000,PR．China；1Departmentof ofEducational Nationalities Electromechanical University,DalianProvince,P尼C镌删 Engineering＆Information，Dalian 116600,Liaoning Abstract：Indium a and oxide(In203)wassynthesizedusinghydrothermalprocess．Thecrystallography microstructureofthe werecharactedzed samples byX-myd№ction(XRD)，scanning synthesize