ITO薄膜制备及RTA处理对发光器件特性的影响.pdfVIP

W电字·瞰W No8 2007 第18卷第8期2007年8月 Journal V01．18 ofOptoeIectronics·Laser Aug 1TO薄膜制备及RTA处理对发光器件特性的影响。 袁广才，徐征一，张福俊，王勇，许洪华 (北京交通大学光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京100044) 摘要：采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物(ITO)薄膜，通过x射线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法及原子 力显微镜(AFM)研究了生长条件、快速热退火(RTA)温度等对薄膜的晶化、透过率、电导率以及表面形貌的影 的影响，通过EL光谱表征发现，对1TO退火处理后．器件的相对发光强度明显增加，衰减速度减慢，器件的EL 光谱有明显的变化。通过进一步分析认为，这是由于13O薄膜表面的变化引起功函数的改变，从而引起电场重 新分布造成的。 关键词：射频反应磁控溅射；ITO薄膜；快速热退火(RTA)}电致发光(EL) 中囤分类号：T∞50．4文献标识码：A 文章编号2007)08-0903—04 rio Fabricationof HimandInfhlOflgetoElectroluminescentDevices RTADis— Through posing YUAN Fu Guar聍cai，XUZheng～，ZHANGjun，WANGYong，XUHong-hua of of (Institute Jiaotong Luminescenceand 00toeleclmnics]hchnology，BeijingUniversitylKeyLaboratory Optical 100044，China) lnfommtion，EMC，Ideijing tino was A瞻lnlct：IndiumxideflTO)filmdepositedradio method．The by frequency(RF)reactivemagnetronsputtering charactersticsofITOfihnwerestudied ambienceandthe thermal bychangingdepositing rapid tureThe are transmission meth— transnfittance，5Urfa雌morohoIogy．androughnessanalyzedbyoptical spectrum．fourpmbe od’AFMand The XRneleetmIumineseentofdevicesweds出scu88edWhenthefilmof under properties F