LiM(M=Ca,Sr,Ba)BO3Tb3+材料光谱特性研究.pdfVIP

第29卷，第11期 光谱学与光谱分析 200 and Analysis November，2009 9年11月 SpectroscopySpectral 王志军，李盼来，杨志平，郭庆林 河北大学物理科学与技术学院，河北保定071002 (350～410 rim)光激发，发射绿光。研究了Tb3+浓度对材料发射光谱的影响，结果显示，随Tb什浓度的增 大，发射光谱峰位未发生变化，但其强度呈现出先增大后减小的趋势，即：存在浓度猝灭效应。加人电荷补 偿剂Li+，Na+和K+提高了LiM(M=Ca，Sr，Ba)BQ：Tb3+材料的发射强度。 ■ 关键词LiM(M=Ca，Sr，Ba)B03-Tb3+；光谱特性 文献标识码：A 中图分类号：0644。0482．3 540紫外分光光度计测量材料的激发与发射光谱。所有测量 引 言 均在室温下进行。 近年来，白光LED作为新一代节能光源，引起了人们的 2结果与讨论 普遍关注[1。3]。目前可实现产业化的是光转换型白光LED， 2．1 l 如：日本日亚化学公司用蓝色GaN管芯泵浦YAG：Ce+黄LiM(M=Ca．Sr，BaJ BGTiC+材料的激发与发射光 4|，然而，这种模式缺少红色 谱 色荧光粉，研发出了白光LEDE 成分，使其色彩还原性较差。为解决上述问题，制备适于蓝 色光激发的红色补光粉就成为一个重要的研究课题睁引。同 发射光谱，Tb3+浓度为1 F6 ：Tb3+材料呈多峰发射，发射峰分别对应Tb件的5D4—7 时，随着近紫外一紫外(350-410rim)光LED芯片的发展，采 (486，486和488 nm)，5D4 用近紫外一紫)b(350～410nm)光LED芯片激发红、绿、蓝三 nm)，5D4—7Fs(544，544和544 基色光，组合形成自光也是一种很好的白光LED实现途径。 —7F4(590，595和593am)和5 目前，这方面已有一些研究，如：制备了CaMoO(：Eu3十红rim)跃迁发射。所有发射峰中以5Dt一7F5跃迁产生的544 z nlTl发射峰最强，即，材料呈现绿色发射。同时发现，由于 色、Ba2si04Eu2+绿色和SrzSi0|tBi件蓝色发光材料 等睁11]。本工作试图通过Tb抖激活LiM(M=Ca，Sr，Ba) Ba2+格位时，相应的跃迁发射产生了劈裂Dz]，如：在LiSr— B03基质，制备白光LED用绿色荧光粉，研究其光谱性能， 为白光L叻的发展提供帮助。 BQ：Tb3+材料中，Tb3十的5D4—7F4跃迁劈裂为584，590 和595 D4—7 m两 rll-n三个发射峰，5F3劈裂为620和624 1实验 个发射峰；在LiBaBO，：Tb3+材料