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2015-08-31 发布于湖北
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n型多孔硅的制备及其光致发光性能.pdf

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n型多孔硅的制备及其光致发光性能.pdf

第41卷第4期中南大学学报(自然科学版) 、，01．41 No．4 JournalofCentralSouth and 2010年8月 University(Science Aug．2010 Technology) n型多孔硅的制备及其光致发光性能宋晓岚，喻振兴，程蕾，吴长荣，张泰隆，邓大宝 (中南大学资源加工与生物工程学院，湖南长沙，410083) 摘要：采用双槽电化学腐蚀法于光照条件下在n型单晶硅片衬底上制备多孔硅(n．PS)；在室温下，采用500- 700nm范围内荧光光谱和扫描电镜(SEM)澳tJ试系统研究光照、腐蚀时间、电解液含量、腐蚀电流密度及单晶硅掺杂含量等对n．PS的形成、结构形貌和光致发光性能(PLl的影响。研究结果表明，通过光照，能获得具有均匀孔分布和良好发光特性的n．Ps，在约600nul处产生较强荧光峰；随腐蚀时间、I-IF含量和电流密度增加，PL峰位先 min、HF含量为6％发生蓝移，而后又出现红移；PL发光性能呈先增强后减弱变化趋势，分别在腐蚀时间为20 和电流密度为60mAfcm2时峰强出现极大值；而提高掺杂含量，PL性能降低。关键词：n型多孔硅；双槽电化学腐蚀法；光照条件；光致发光性能中图分类号：TN304．1 文献标志码：A 文章编号：1672-7207(2010)04-1229-05 ofn-PSandits properties Preparation photoluminescence SONG Da·bao Xiao-lan，YUZhen—xing，CHENGLei，wUChang-rong，ZHANGTai-long，DENG and South ofMinerals University,Changsha410083，China) (School ProcessingBioengineering，Central Abstract：Porous after on siliconwafersubstratc silicon(n-PS)waspreparedbeingsynthesizedmonocrystalline by double-cellelectrochemicalmethodunder conditions．Theeffectsof effect, etching lighting experimentalconditions(1ight of the content,current levelthe formation,structure， etchingtime，HF density,anddoping monocrystallinesilicon)on andPL ofn-PSwerestudied the electron the performance morphology us