N掺杂Ta2O5的制备及其光催化分解水制氢性能研究.pdfVIP

第27卷第10期 太阳能学报 V01．27．№．10 2006年lO月 ACrAENERGI^E 0ct．，2006 SOLA髓S踟CA N掺杂Ta205的制备 及其光催化分解水制氢性能研究 梁慧荣，张耀君，郭烈锦 (西安交通大学动力工程多相流国家重点实验室，西安710049) 摘要：通过对1氇05程序升温的氮化方法，制备了在可见区具有较强吸收的N掺杂7耽05光催化剂，并采用x射 约为630砌，带隙约为2．0“。在乙醇和Na2 S_N龟s03牺牲剂体系中，研究了N掺杂’耽05催化剂的可见光催化分解 水制氢性能，并考察了采用光还原法在N掺杂rI如05表面上负载贵金属Ru对光催化剂的产氢活性影响，探讨了Ru 的负载量与产氢速率的关系，结果表明在N掺杂’耽05表面上负载贵金属Ru可明显提高其产氢活性，Ru的最佳负 载量约为0．1讯．％。 关键词：掺杂；‰05；光催化；氢；半导体 中图分类号：0643 文献标识码：A 化分解水制氢性能，还考察了Ru的不同负载量对其 O 引 言 性能的影响。 自1972年Fu证shi眦和H0nd0刈在《Nature》杂志 1 实 验 上发表Ti02电极光催化可将水分解为氢气和氧气的 结果以来，各种分解水制氢的探索性研究进行的如 1．1 N-掺杂Ta205光催化剂的制备 火如荼，而半导体光催化分解水制氢一直是研究的 实验中所用的水均为二次蒸馏水，所用的药品 热点之一【2删。研究发现具有空的d轨道的过渡金 均为分析纯，未经任何处理使用。 属(如Ti4+、硝+、Nb5+、T矿+等)氧化物和各类硫化物 称取一定量的’耽魄粉末(A．R．)，倒人耐高温 半导体负载贵金属后都具有一定的产氢活性。但是 大多数该类光催化剂【6圳属于宽带隙半导体，仅在 紫外光条件下具有产氢活性，且产氢效率低。为了 后在氮气氛围中自然冷却至室温，产物呈红色。称 更有效利用太阳能，可在稳定的宽带隙半导体中掺 取同样量的Ta205粉末，在空气条件下高温焙烧5h， 杂非金属元素或者过渡金属元素，如s、N、cu、Fe、cr 将其作为参考样品与制备的N掺杂7耽05光催化剂 等[9叫7|，以改变半导体的价带或导带位置，拓宽其可对照。 见光区的光谱响应，使其具有可见光催化活性，并通 1．2光催化剂的表征 过寻找具有最佳带隙的半导体催化剂，从而开发出 在可见光条件下能够稳定高效产氢的光催化剂。 本文采用程序升温氮化方法，制备了在可见区 径分布。测试前，样品先在573K条件下脱气3h对 具有较强吸收的N掺杂’耽05光催化剂，通过各种 表征手段分析其特性，并分别以乙醇和Na2S—Na2s03 射仪(日本跖础u公司生产)测定样品的晶体结构 为牺牲剂，研究了该催化剂在可见光条件下的光催 (CuId，46Kv，100mA，wavelengtll 收稿日期：2005坼22 基金项目：国家9r73计划项目(No．2003cB21450D) 万方数据万方数据 10期 梁慧荣等：N掺杂％05的制备及其光催化分解水制氢性能研究 的uV—Vis漫反射光谱在U4100型紫外可见近红外其中，A——半导体可吸收的光波长；E，——半导体 分光光度计(日本HITAcm公司生产)上完成。样品 能隙值，“。