SILAR法制备化学计量CuInS2薄膜.pdfVIP

!第 期 !!无 机 化 学 学 报 )*(+#+ ,*+_ _ 年 月 ./0,$1$ 2345,67 38 0,3596,0. ./$:01;5 =8O+- !% !% _ #$%法制备化学计量’(#)* 薄膜 ! 石 勇 靳正国 李春艳 安贺松 邱继军 天津大学材料学院 先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室 天津 ! ! ! #$$%’ 摘要 在室温下 以不同 的 和 混合溶液作为阳离子前驱体 水溶液为硫源 利用连续离子层吸附反应法 ! $ $ $ ! Q ! ;6;N 3;N ’R = ;6 3 D , # 在玻璃基底上制备了 薄膜 结果表明 当 DX ,X 在 范围内均可形成具有黄铜矿结构的 薄膜 ?=STU ;63=# VUW $ !;6 Q !3 +J+7% ;63=# 观察到随 DX ,X 的升高 薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集 通过 测定薄膜表面的化学组成证明当 DX ,X =YZ !;6 Q !3 $ V[= !;6 Q !3 \7D% 时 薄膜接近其标准的化学计量组成 此时薄膜的吸收系数大于 ! B 禁带宽度 为 $;63=D @$ :A $ 0 7!% 8C 关键词 铜铟硫薄膜 连续离子层吸附反应法 化学计量 ! % % 中图分类号! ]K !7D!D 文献标识码! T 文章编号! $$ #!^K +?D$$%-$_#+D^K#$% !#$%’()* )+ ,’)(-.()/0’(- 123*,4 5.(* 6(7/8 9: ;2--088(0 3)*(- =:0 98)$’()* *? @0-’()* A;B=C@D E0’.)? =I ‘(30 a’ b/830#c6( ! S ;/63#‘R3 T’ I8#=(30 de a2#a63